[發(fā)明專利]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料層及使用其的太陽(yáng)能電池模組有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480059539.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-10-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105684163B | 公開(公告)日: | 2017-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 上田正孝;尾之內(nèi)久成;北原達(dá)也 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L31/048 | 分類號(hào): | H01L31/048;H01L31/055 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所11256 | 代理人: | 楊宏軍,牛蔚然 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波長(zhǎng) 轉(zhuǎn)換 封裝 材料 組合 使用 太陽(yáng)能電池 模組 | ||
1.波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,所述組合物包含第1有機(jī)物和第2有機(jī)物,所述第1有機(jī)物吸收紫外線并將其轉(zhuǎn)換為波長(zhǎng)比吸收的光長(zhǎng)的光,所述第2有機(jī)物吸收波長(zhǎng)比第1有機(jī)物吸收的光的波長(zhǎng)更長(zhǎng)的光并將其轉(zhuǎn)換為波長(zhǎng)比吸收的光長(zhǎng)的光,所述組合物特征在于,
所述第1有機(jī)物的最大發(fā)射波長(zhǎng)λ1em和所述第2有機(jī)物的最大激發(fā)波長(zhǎng)λ2ex滿足下式(1)的關(guān)系,
式(1)
λ1em-60≤λ2ex(nm)。
2.如權(quán)利要求1所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,其中,所述第1有機(jī)物的最大吸收波長(zhǎng)λ1abs和所述第2有機(jī)物的最大激發(fā)波長(zhǎng)λ2ex滿足下式(2)的關(guān)系,
式(2)
λ2ex-λ1abs≥5(nm)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,其中,所述第2有機(jī)物的最大激發(fā)波長(zhǎng)λ2ex為500nm以下。
4.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,其中,所述第1有機(jī)物的斯托克斯位移Δλ1為50nm以上。
5.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,其中,所述第1有機(jī)物的發(fā)光量子收率φ1為85%以上。
6.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,其中,所述第2有機(jī)物的發(fā)光量子收率φ2為85%以上。
7.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,其中,所述第1有機(jī)物的最大吸收波長(zhǎng)λ1abs為300~400nm。
8.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,其中,所述第2有機(jī)物的最大激發(fā)波長(zhǎng)λ2ex為330~500nm。
9.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,其中,第1有機(jī)物至少包含選自由苝衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻二唑衍生物、苯并三唑衍生物及芴衍生物組成的組中的1種。
10.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,其中,第2有機(jī)物至少包含選自由苝衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻二唑衍生物、苯并三唑衍生物及芴衍生物組成的組中的1種。
11.如權(quán)利要求1或2所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物,用于太陽(yáng)能電池用途。
12.波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料層,其是利用權(quán)利要求1~11中任一項(xiàng)所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料組合物形成的。
13.太陽(yáng)能電池模組,包含太陽(yáng)能電池單元及權(quán)利要求12所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換型封裝材料層。
14.如權(quán)利要求13所述的太陽(yáng)能電池模組,其中,所述太陽(yáng)能電池單元為晶體硅太陽(yáng)能電池、非晶硅太陽(yáng)能電池、微晶硅太陽(yáng)能電池、碲化鎘太陽(yáng)能電池、CIS系薄膜太陽(yáng)能電池、CIGS系薄膜太陽(yáng)能電池、CZTS系薄膜太陽(yáng)能電池、III-V族太陽(yáng)能電池或染料敏化型太陽(yáng)能電池。
15.如權(quán)利要求13所述的太陽(yáng)能電池模組,其中,所述太陽(yáng)能電池單元為薄膜硅太陽(yáng)能電池。
16.如權(quán)利要求13所述的太陽(yáng)能電池模組,其中,所述太陽(yáng)能電池單元為異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。
17.如權(quán)利要求13所述的太陽(yáng)能電池模組,其中,所述太陽(yáng)能電池單元為多結(jié)太陽(yáng)能電池。
18.如權(quán)利要求13所述的太陽(yáng)能電池模組,其中,所述太陽(yáng)能電池單元為有機(jī)半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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