[發明專利]溶膠凝膠涂布的支撐環有效
| 申請號: | 201480058904.8 | 申請日: | 2014-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN105684133B | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發明(設計)人: | 約瑟夫·M·拉內什 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/324 | 分類號: | H01L21/324;H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溶膠 凝膠 支撐 | ||
1.一種用于熱處理腔室的支撐構件,包括:
與邊緣環套疊的支撐環,所述支撐環支撐被暴露于輻射的工件,所述支撐環包括硅氧化物且具有:
第一側部和第二側部;及
多孔涂層,所述多孔涂層在所述第一側部或所述第二側部上,所述多孔涂層包括硅與二氧化硅,并且所述多孔涂層包括硅層以及從類二氧化硅成分至所述硅層的成分漸變過程。
2.如權利要求1所述的支撐構件,其中所述多孔涂層包括具有不同成分的多層。
3.如權利要求1所述的支撐構件,其中所述多孔涂層具有變化的孔隙率。
4.如權利要求1所述的支撐構件,其中所述多孔涂層進一步包括碳。
5.一種用于熱處理腔室的支撐構件,包括:
與邊緣環套疊的支撐環,所述支撐環包含硅氧化物,所述支撐環支撐被暴露于輻射的工件,所述支撐環具有:
第一側部和第二側部;及
異質層結構,所述異質層結構形成于所述第一側部或所述第二側部上且包括硅和二氧化硅,其中所述異質層結構具有介于50nm與50μm之間的厚度,并且其中所述異質層結構對入射于所述支撐構件上的具有高溫計波長的輻射是不透明的。
6.如權利要求5所述的支撐構件,其中所述異質層結構具有介于35%與80%之間的孔隙率。
7.如權利要求5所述的支撐構件,其中所述異質層結構包括具有第一孔隙率的第一層和具有第二孔隙率的第二層,所述第二孔隙率與所述第一孔隙率不同。
8.如權利要求6所述的支撐構件,其中所述異質層結構的孔隙率是漸變的。
9.如權利要求6所述的支撐構件,其中所述異質層結構具有尺寸介于10納米與60微米之間的孔隙。
10.如權利要求5所述的支撐構件,其中所述異質層結構進一步包括輻射阻擋層和覆蓋層。
11.一種用于熱處理腔室的支撐構件的形成方法,所述方法包括以下步驟:
使第一溶膠流經基板,所述第一溶膠包括二氧化硅前驅物;
使所述第一溶膠干燥以形成第一涂層;及
使第二溶膠流經所述基板,所述第二溶膠包括硅前驅物;及
使所述第二溶膠干燥,以于所述第一涂層上形成第二涂層;及
熱處理所述基板以形成所述支撐構件。
12.如權利要求11所述的方法,其中所述第一涂層與所述第二涂層的每個涂層具有尺寸介于10納米與10微米之間的孔隙。
13.如權利要求11所述的方法,其中所述第一溶膠進一步包括硅前驅物,且所述第二溶膠進一步包括二氧化硅前驅物。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





