[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201480058415.2
• 申請日: 2014-09-10
• 公開（公告）號: CN105765865A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 早稻倉真樹
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H03K17/56
• 分類號: H03K17/56;H03K17/08;H03K17/687
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;范文萍

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置。

背景技術

一直以來，已知一種通過共通的檢測電阻而對在晶體管中流通的電流和在與晶體管逆并聯連接的二極管中流通的電流進行檢測的技術(例如，參照專利文獻1)。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009-268054號公報

發明內容

發明所要解決的課題

然而，在通過共通的檢測電阻而對在晶體管中流通的電流和在與晶體管逆并聯連接的二極管中流通的電流進行檢測的情況下，在現有技術的檢測電阻中，不易獨立地對這些電流各自的檢測靈敏度進行調節。

因此，本發明的目的在于，提供一種能夠獨立地對在晶體管中流通的電流的檢測靈敏度和在與晶體管逆并聯連接的二極管中流通的電流的檢測靈敏度進行調節的半導體裝置。

用于解決課題的方法

在一個方案中，提供一種半導體裝置，具備：晶體管；二極管，其與所述晶體管逆并聯連接；檢測晶體管，其生成與在所述晶體管中流通的電流相對應的檢測電流；檢測二極管，其生成與在所述二極管中流通的電流相對應的檢測二極管電流；電阻部，其具有與所述檢測晶體管的發射極和所述檢測二極管的陽極連接的一端以及與所述晶體管的發射極和所述二極管的陽極連接的另一端，在所述電阻部中流通所述檢測電流或所述檢測二極管電流；電阻值控制單元，其在所述檢測電流流通于所述電阻部中時和所述檢測二極管電流流通于所述電阻部中時，使所述電阻部的電阻值不同。

發明效果

根據一個方式，能夠獨立地對在晶體管中流通的電流的檢測靈敏度和在與晶體管逆并聯連接的二極管中流通的電流的檢測靈敏度進行調節。

附圖說明

圖1為半導體裝置中的一個實施例的結構圖。

圖2為表示半導體裝置的動作波形的一個示例的時序圖。

圖3為半導體裝置中的一個實施例的結構圖。

圖4為半導體裝置中的一個實施例的結構圖。

具體實施方式

以下，根據附圖對本發明的實施方式進行說明。

圖1為表示作為半導體裝置的一個示例的驅動裝置1的結構例的圖。驅動裝置1既可以為具有由集成電路形成的結構的半導體器件，也可以為具有由分立部件形成的結構的半導體器件。

驅動裝置1為，具備通過對晶體管部11的主晶體管12進行導通斷開驅動從而對與第一導電部61或第二導電部62連接的感應性的負載(例如，電感應、電機等)進行驅動的單元的半導體電路。作為使用單個或多個驅動裝置1的裝置，可列舉出例如對直流電壓進行升壓或降壓或升降壓的轉換器、在直流電力與交流電力之間進行電力轉換的逆變器等。

例如，在使用多個驅動裝置1的裝置中設置開關電路，該開關電路通過相對于與感應性的負載連接的中間節點而分別被設置在高側和低側的開關元件10串聯連接而構成。例如，作為使用多個驅動裝置1的裝置的一個示例的三相逆變器以三個開關電路并聯的方式而具備該開關電路。

導電部61為與電源的正極等高電源電位部導電性地連接的電流路徑，并且也可以經由其他的開關元件或負載而間接地與高電源電位部連接。導電部62為與電源的負極等低電源電位部(例如，接地電位部)導電性地連接的電流路徑，并且也可以經由其他的開關元件或負載而與間接地低電源電位部連接。

驅動裝置1具備開關元件10。開關元件10為附帶電流檢測功能的絕緣柵型電壓控制半導體元件。開關元件10具有晶體管部11和二極管部14。

例如在晶體管部11為絕緣柵雙極型晶體管(IGBT：InsulatedGateBipolarTransistor)的情況下，開關元件10為晶體管部11和二極管部14被設置在共用的半導體基板上的內置有二極管的IGBT。內置有二極管的IGBT具有將二極管的陽極電極和IGBT的發射電極設為共用電極，且將二極管的陰極電極和IGBT的集電電極設為共用電極的結構。內置有二極管的IGBT也被稱作逆導通IGBT(ReverseConducting(RC)-IGBT)。

作為晶體管部11的具體示例，可列舉出IGBT、MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：金屬氧化物半導體場效應晶體管)等功率晶體管元件。在圖1中，圖示了作為晶體管部11的一個示例的IGBT。以下，為了便于說明，對晶體管部11為IGBT的情況進行說明。若為MOSFET的情況，則只需將“集電極”替換為“漏極”，將“發射極”替換為“源極”來閱讀即可。