[發明專利]雙極性晶體管

有效

• 申請號: 201480057758.7
• 申請日: 2014-08-27
• 公開（公告）號: CN105793966B
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發明（設計）人: 大川峰司;江口博臣;金原啓道;池田智史
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/73;H01L29/732
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;范文萍

1.一種雙極性晶體管，其為具有半導體基板的雙極性晶體管，其中，

半導體基板具有：

p型的發射區，其被設置在半導體基板的上表面的一部分處；

p型的集電區，其被設置在半導體基板的上表面的一部分處；

n型的基區，其被設置在半導體基板的上表面的一部分處，且被設置在發射區與集電區之間；

p型的第一埋入區，其被設置于基區的下方；

n型區，其與基區相比n型雜質濃度較低，并且與發射區、集電區、基區、第一埋入區相接，并使發射區與基區以及第一埋入區分離，且使集電區與基區以及第一埋入區分離，

基區的n型雜質濃度在1×10¹⁷atoms/cm³以上，

基區的一部分與第一埋入區相比向集電區側突出。

2.如權利要求1所述的雙極性晶體管，其中，

半導體基板還具有p型的第二埋入區，該第二埋入區被設置于第一埋入區的下方，并且通過n型區而與第一埋入區分離。

3.一種雙極性晶體管，其為具有半導體基板的雙極性晶體管，其中，

半導體基板具有：

n型的發射區，其被設置在半導體基板的上表面的一部分處；

n型的集電區，其被設置在半導體基板的上表面的一部分處；

p型的基區，其被設置在半導體基板的上表面的一部分處，且被設置在發射區與集電區之間；

n型的第一埋入區，其被設置于基區的下方；

p型區，其與基區相比p型雜質濃度較低，并且與發射區、集電區、基區、第一埋入區相接，并使發射區與基區以及第一埋入區分離，且使集電區與基區以及第一埋入區分離，

基區的p型雜質濃度在1×10¹⁷atoms/cm³以上，

基區的一部分與第一埋入區相比向發射區側突出。

4.如權利要求3所述的雙極性晶體管，其中，

半導體基板還具備n型的第二埋入區，該第二埋入區被設置于第一埋入區的下方，并且通過p型區而與第一埋入區分離。