[發(fā)明專利]用于電子器件的材料在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480057646.1 | 申請日： | 2014-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN105722944A | 公開（公告）日： | 2016-06-29 |
| 發(fā)明（設計）人： | 阿爾內(nèi)·比辛;伊里娜·馬丁諾娃;弗蘭克·福格斯;喬納斯·瓦倫丁·克羅巴 | 申請（專利權(quán)）人： | 默克專利有限公司 |
| 主分類號： | C09K11/06 | 分類號： | C09K11/06;C07C209/00;C07C211/00;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 王潛;郭國清 |
| 地址： | 德國達*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 電子器件 材料 | ||
1.一種式(1)的化合物
其中出現(xiàn)的符號如下：
Z在每種情況下是相同或不同的并且為CR1或N；
Ar1在每種情況下是相同或不同的并且為具有5～60個芳族環(huán)原子且可以被一個或多個R3基團取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時，與同一個氮原子或磷原子鍵合的兩個Ar1基團也可以通過單鍵或選自N(R4)、C(R4)2、O和S的橋連基相互橋連；
R1在每種情況下是相同或不同的并且為H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R3)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R3，P(＝O)(Ar1)2，P(＝O)(R3)2，B(OR3)2，CHO，Si(R3)2，OSO2R3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1～40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有3～40個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有2～40個碳原子的烯基或炔基基團，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基團在每種情況下可以被一個或多個R3基團取代，并且其中一個或多個相鄰或非相鄰的CH2基團可以被-R3C＝CR3-、-C≡C-、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、-C(＝O)-NR3-、P(＝O)(R3)、-C(＝O)-O-、Si(R3)2、NR3、-O-、-S-、SO或SO2代替，且其中一個或多個氫原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有6～60個芳族環(huán)原子且在每種情況下可以被一個或多個R3基團取代的芳族環(huán)系，或具有5～60個芳族環(huán)原子且在每種情況下可以被一個或多個R3基團取代的雜芳族環(huán)系，其中兩個或更多個R1基團可以相互連接且可以形成環(huán)；
R2在每種情況下是相同或不同的并且為H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R3)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R3，P(＝O)(Ar1)2，P(＝O)(R3)2，B(OR3)2，CHO，Si(R3)2，OSO2R3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1～40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有3～40個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有2～40個碳原子的烯基或炔基基團，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基團在每種情況下可以被一個或多個R3基團取代，并且其中一個或多個相鄰或非相鄰的CH2基團可以被-R3C＝CR3-、-C≡C-、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、-C(＝O)-NR3-、P(＝O)(R3)、-C(＝O)-O-、Si(R3)2、NR3、-O-、-S-、SO或SO2代替，且其中一個或多個氫原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有6～60個芳族環(huán)原子且在每種情況下可以被一個或多個R3基團取代的芳族環(huán)系，或具有5～60個芳族環(huán)原子且在每種情況下可以被一個或多個R3基團取代的雜芳族環(huán)系；
R3在每種情況下是相同或不同的并且為H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CN，NO2，N(R4)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R4，P(＝O)(Ar1)2，B(OR4)2，CHO，Si(R4)2，OSO2R4，S(＝O)R4，S(＝O)2R4，具有1～40個碳原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有3～40個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團或具有2～40個碳原子的烯基或炔基基團，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基團在每種情況下可以被一個或多個R4基團取代，并且其中一個或多個相鄰或非相鄰的CH2基團可以被-R4C＝CR4-、-C≡C-、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、-C(＝O)-NR4-、P(＝O)(R4)、-C(＝O)-O-、Si(R4)2、NR4、-O-、-S-、SO或SO2代替，且其中一個或多個氫原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有6～60個芳族環(huán)原子且在每種情況下可以被一個或多個R4基團取代的芳族環(huán)系，或具有5～60個芳族環(huán)原子且在每種情況下可以被一個或多個R4基團取代的雜芳族環(huán)系，其中兩個或更多個R4基團可以相互連接且可以形成環(huán)；
R4在每種情況下是相同或不同的并且為H，D，F(xiàn)，CN，或具有1～20個碳原子的脂族基團，或具有6～60個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系或具有5～60個芳族環(huán)原子的雜芳族環(huán)系，其中所述脂族基團、所述芳族環(huán)系或所述雜芳族環(huán)系中的一個或多個氫原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或具有1～5個碳原子的烷基基團代替，其中兩個或更多個R4基團可以相互連接且可以形成環(huán)；
其中式(1)的R2和/或至少一個R1包含至少一個芳族或雜芳族環(huán)系；且
當至少一個R1包含至少一個芳族或雜芳族環(huán)系時，在全部R1和R2中的芳族環(huán)原子的總數(shù)至少為12；且
當R1不包含芳族或雜芳族環(huán)系時，R2包含至少24個芳族環(huán)原子且不包含另外的茚并[1,2,3-jk]芴骨架。
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