[發明專利]使用等離子體與固態源的組合的蝕刻金屬工藝

有效

• 申請號: 201480057517.2
• 申請日: 2014-09-18
• 公開（公告）號: CN105659364B
• 公開（公告）日: 2019-03-29
• 發明（設計）人: 薩布哈什·德什;約瑟夫·約翰遜;靜靜·劉;何·任
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種蝕刻基板的方法，所述基板具有金屬層，所述金屬層形成于所述基板上，所述方法包括下列步驟：

將所述基板安置于基板處理腔室中；以及

在所述基板位于所述腔室中的同時，在低于250攝氏度的溫度下，將所述金屬層暴露于蝕刻劑氣體的等離子體，從而形成一種或更多種金屬副產物，并將所述一種或更多種金屬副產物暴露于來自固態源的輻射，以脫附所述一種或更多種金屬副產物中的至少一種金屬副產物，所述固態源具有介于10nm與2000nm之間的波長，

其中，所述金屬是銅或鈷中的一種；且

其中，所述蝕刻劑氣體包括氫化物、H₂或包含氧原子的氧化劑中的至少一種。

2.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述固態源是LED源。

3.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述固態源是激光二極管。

4.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中在將所述基板暴露于所述蝕刻劑氣體的所述等離子體的同時，使所述一種或更多種金屬副產物暴露于輻射。

5.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中暴露于所述等離子體和暴露于所述輻射是持續地以脈沖方式進行的。

6.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述波長介于60nm與500nm之間。

7.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述溫度低于150攝氏度。

8.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述蝕刻劑氣體包括鹵化物，且所述金屬副產物包括所述金屬和鹵素。

9.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中使用后續的蝕刻劑氣體，所述后續的蝕刻劑氣體包括氫化物或H₂。

10.如權利要求9所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述金屬副產物包括所述金屬和氫。

11.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述蝕刻劑氣體包括鹵化物和氫化物。

12.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述蝕刻劑氣體包括Cl₂和H₂。

13.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述氧化劑包括O₂。

14.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中使用后續的蝕刻劑氣體，所述后續的蝕刻劑氣體包括H₂O₂。

15.如權利要求1所述的蝕刻所述基板的方法，其中所述蝕刻劑氣體包括六氟乙酰丙酮(hfac)。