[發(fā)明專利]用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法和光電子半導(dǎo)體器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480057339.3 | 申請(qǐng)日: | 2014-09-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105637636B | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盧茨·赫佩爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/16 | 分類號(hào): | H01L25/16;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;張春水 |
| 地址: | 德國(guó)雷*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制造 光電子 半導(dǎo)體器件 方法 | ||
提出一種用于制造多個(gè)光電半導(dǎo)體器件(1)的方法,所述方法具有如下步驟:a)提供具有多個(gè)半導(dǎo)體本體區(qū)域(200)的半導(dǎo)體層序列(2);b)提供多個(gè)載體本體(3),所述載體本體分別具有第一接觸結(jié)構(gòu)(31)和第二接觸結(jié)構(gòu)(32);c)構(gòu)成具有半導(dǎo)體層序列和載體本體的復(fù)合件(4),使得相鄰的載體本體通過間隙(35)彼此分離并且每個(gè)半導(dǎo)體本體區(qū)域與相關(guān)聯(lián)的載體本體的第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)導(dǎo)電連接;以及d)將復(fù)合件分割成多個(gè)半導(dǎo)體器件,其中半導(dǎo)體器件分別具有半導(dǎo)體本體(20)和載體本體。此外,提出一種光電子半導(dǎo)體器件(1)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于制造光電子半導(dǎo)體器件的方法和一種光電子半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)
隨著對(duì)半導(dǎo)體器件小型化的要求的提高,對(duì)光電子半導(dǎo)體器件例如發(fā)輻射二極管的需求提高,其中設(shè)置用于產(chǎn)生輻射或設(shè)置用于接收輻射的半導(dǎo)體芯片的殼體其橫向擴(kuò)展不大于或至少不顯著地大于半導(dǎo)體芯片本身。
然而,具有同樣良好的光電子特性的這種構(gòu)型的制造意味著一定的技術(shù)挑戰(zhàn)。
發(fā)明內(nèi)容
目的是提出一種方法,借助所述方法能夠簡(jiǎn)單且可靠地制造尤其緊湊的光電子半導(dǎo)體器件。此外,應(yīng)提出一種光電子半導(dǎo)體器件,所述光電子半導(dǎo)體器件的特征在于緊湊的構(gòu)型和同時(shí)良好的光電子特性。
這些目的尤其通過本發(fā)明的半導(dǎo)體器件或方法實(shí)現(xiàn)。所述方法具有如下步驟:a)提供具有多個(gè)半導(dǎo)體本體區(qū)域的半導(dǎo)體層序列;b)提供多個(gè)載體本體,所述載體本體分別具有第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu);c)構(gòu)成具有所述半導(dǎo)體層序列和所述載體本體的復(fù)合件,使得相鄰的載體本體通過間隙彼此分離并且每個(gè)半導(dǎo)體本體區(qū)域與相關(guān)聯(lián)的載體本體的所述第一接觸結(jié)構(gòu)和所述第二接觸結(jié)構(gòu)導(dǎo)電連接;以及d)將所述復(fù)合件分割成多個(gè)半導(dǎo)體器件,其中所述半導(dǎo)體器件分別具有半導(dǎo)體本體和載體本體。所述半導(dǎo)體器件具有:半導(dǎo)體本體,所述半導(dǎo)體本體具有半導(dǎo)體層序列,所述半導(dǎo)體層序列具有設(shè)置用于產(chǎn)生和/或接收輻射的有源區(qū)域;和載體本體,所述半導(dǎo)體本體固定在所述載體本體上,其中,所述載體本體在背離所述半導(dǎo)體本體的背側(cè)上具有用于外部電接觸所述半導(dǎo)體器件的第一接觸部和第二接觸部;在所述半導(dǎo)體本體和所述載體本體之間設(shè)置有金屬的中間層用于所述半導(dǎo)體本體和所述接觸部之間導(dǎo)電連接;所述載體本體的側(cè)沿至少局部地由填充材料包圍,和所述半導(dǎo)體本體在所述半導(dǎo)體器件的俯視圖中至少局部地伸出所述載體本體。
提出一種用于制造多個(gè)光電子半導(dǎo)體器件的方法。
根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式,所述方法包括如下步驟,在所述步驟中提供具有多個(gè)半導(dǎo)體本體區(qū)域的半導(dǎo)體層序列。將半導(dǎo)體層序列的橫向區(qū)域理解為半導(dǎo)體本體區(qū)域,在制造光電子半導(dǎo)體器件時(shí)從所述橫向區(qū)域中產(chǎn)生光電子半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體本體、尤其剛好一個(gè)半導(dǎo)體本體。半導(dǎo)體層序列例如包括設(shè)置用于產(chǎn)生和/或接收電磁輻射的有源區(qū)域。有源區(qū)域例如設(shè)置在第一傳導(dǎo)類型的第一半導(dǎo)體層和與第一傳導(dǎo)類型不同的第二傳導(dǎo)類型的第二半導(dǎo)體層之間。為了電接觸第二半導(dǎo)體層,每個(gè)半導(dǎo)體本體區(qū)域例如都具有一個(gè)凹部或多個(gè)凹部,所述凹部穿過第一半導(dǎo)體層和有源區(qū)域延伸到第二半導(dǎo)體層中。
根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式,所述方法包括如下步驟,在所述步驟中提供多個(gè)載體本體。載體本體例如分別具有第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)。第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)夭恢苯颖舜藢?dǎo)電連接。載體本體優(yōu)選包含半導(dǎo)體材料、例如硅或鍺,或者由這種材料構(gòu)成。
載體本體例如能夠設(shè)置到輔助載體上,例如剛性的輔助載體或柔性的輔助載體上。
根據(jù)所述方法的至少一個(gè)實(shí)施方式,所述方法包括如下步驟,在所述步驟中構(gòu)成具有半導(dǎo)體層序列和載體本體的復(fù)合件。載體本體固定在半導(dǎo)體本體區(qū)域上,使得相鄰的載體本體通過間隙彼此分開并且每個(gè)半導(dǎo)體本體區(qū)域與相關(guān)聯(lián)的載體本體的第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)導(dǎo)電連接。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件
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