[發明專利]非易失性存儲器裝置進行編程的方法和系統

有效

• 申請號: 201480057046.5
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN105637588B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 戈皮納特·巴拉克里希南
• 申請（專利權）人: 桑迪士克科技有限責任公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;G11C13/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

一種非易失性存儲器利用多個編程循環來將成單位的數據例如數據的邏輯頁寫入非易失性存儲器陣列。在寫入之前評估用戶數據以確定是否可以跳過對盤位地址的編程。確定是否可以跳過對盤位組的初始集合的編程。如果不可以跳過盤位組，則系統確定該盤位組是否包括可以跳過的單獨的盤位。將盤位重組成新的盤位組，以減少在編程期間BAD循環的數量。提供了針對盤位組中的多個盤位的獨立的列尋址。在列地址循環期間，向盤位提供分離的列地址，以在每個盤位中選擇不同列來進行編程。通過在單個列地址循環期間對多個列地址同時進行編程，系統可以跳過針對一些列地址循環的編程。

優先權要求

本申請要求由Balakrishnan于2013年10月16日提交的題為“Regrouping andSkipping Cycles in Non-Volatile Memory”的美國臨時專利申請No.61/891,771的優先權，其全部內容通過引用并入本文中。

背景技術

本公開內容涉及用于非易失性存儲裝置的技術。

半導體存儲器變得更廣泛地用在各種電子裝置中。例如，在蜂窩電話、數字攝像裝置、個人數字助理、移動計算裝置、非移動計算裝置以及其他裝置中使用非易失性半導體存儲器。當在消費性電子裝置中使用半導體存儲器時，理想的是將半導體存儲器所使用的電力量最小化，以便節約使用主機電子裝置(host electronic device)的電池。此外，消費者通常希望半導體存儲器以足夠的速度運行，使得存儲器不會減慢主機電子裝置的操作。

附圖說明

圖1是非易失性存儲器系統的一個實施方式的框圖。

圖2是存儲器單元的一個實施方式的簡化透視圖。

圖3是描繪了可逆電阻切換元件的I-V特性的曲線圖。

圖4A是三維存儲器陣列的一個實施方式的一部分的簡化透視圖。

圖4B是三維存儲器陣列的一個實施方式的一部分的簡化透視圖。

圖5A描繪了存儲器系統的頂視圖。

圖5B描繪了三維存儲器的一個實施方式的層的子集。

圖6描繪了存儲器陣列的構造的一個示例。

圖7描繪了存儲器陣列的兩個條的結構的一個實施方式。

圖8描繪了盤位(bay)的一個實施方式。

圖9是數據線和用于經由數據線連接位線與列控制電路的選擇電路的一個實施方式的示意圖。

圖10是選擇電路的一個實施方式的示意圖。

圖11是復用器電路的一個實施方式的示意圖。

圖12是描述盤位和列架構的非易失性存儲器陣列的一部分的框圖。

圖13是描繪具有針對盤位組的列地址選擇線的盤位和列架構的框圖。

圖14是描述將盤位劃分成盤位組的示例的表。

圖15是描述對多個盤位組進行跳過評估的示例的表。

圖16是描述對跨盤位組的多個列進行跳過評估的示例的表。

圖17是描述根據一個實施方式對盤位進行跳過評估和重組的表。

圖18是將根據一個實施方式的跳過評估和重組與關于不跳過的技術和關于跳過而不重組的技術進行比較的表。

圖19是將使用用于列跳過的單獨的列尋址與關于不跳過的技術和關于在針對所有盤位使用共同列地址進行跳過的技術進行比較的表。

圖20A和20B是描繪在多個列地址循環期間對針對盤位組的不同盤位的單獨的列地址進行選擇的框圖。