[發(fā)明專利]用于運行化學(xué)敏感的場效應(yīng)晶體管的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480056571.5 | 申請日： | 2014-10-06 |
| 公開（公告）號： | CN105612420B | 公開（公告）日： | 2018-11-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | J.格拉夫;F.赫南德茨吉倫 | 申請（專利權(quán)）人： | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/414 | 分類號： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周志明;傅永霄 |
| 地址： | 德國斯*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 運行 化學(xué) 敏感 場效應(yīng) 晶體管 方法 | ||
1.用于運行具有柵極接頭（2）的化學(xué)敏感的場效應(yīng)晶體管（1）的方法，其特征在于，至少在運行所述場效應(yīng)晶體管（1）期間至少在所述場效應(yīng)晶體管（1）的一部分內(nèi)以下述方式產(chǎn)生至少一個電場：至少在所述場效應(yīng)晶體管（1）的鄰接所述柵極接頭（2）的區(qū)域內(nèi)所存在的能動的離子積聚在所述場效應(yīng)晶體管（1）的能預(yù)先給定的區(qū)域內(nèi)并且保持在那里，并且已經(jīng)在化學(xué)敏感的場效應(yīng)晶體管（1）發(fā)生相應(yīng)的加熱之前就在場效應(yīng)晶體管（1）的至少一部分內(nèi)產(chǎn)生所述電場且保持該電場，直至該化學(xué)敏感的場效應(yīng)晶體管（1）在其不運行時被再次冷卻至正常溫度。
2.按照權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過在所述場效應(yīng)晶體管（1）的源極接頭（3）和漏極接頭（4）之間施加電壓來產(chǎn)生所述電場。
3.按照權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，額外地在所述源極接頭（3）和所述柵極接頭（2）之間施加電壓。
4.用于探測至少一種化學(xué)物質(zhì)的系統(tǒng)（6），所述系統(tǒng)具有至少一個化學(xué)敏感的場效應(yīng)晶體管（1）和在通信技術(shù)方面與所述場效應(yīng)晶體管（1）連接的電子評估裝置（5），其特征在于一種裝置，該裝置用于至少在運行所述場效應(yīng)晶體管（1）期間以下述方式在所述場效應(yīng)晶體管（1）的至少一部分內(nèi)產(chǎn)生至少一個電場：至少在所述場效應(yīng)晶體管（1）的鄰接?xùn)艠O接頭（2）的區(qū)域內(nèi)所存在的能動的離子積聚在所述場效應(yīng)晶體管（1）的能預(yù)先給定的區(qū)域內(nèi)并且保持在那里，其中已經(jīng)在化學(xué)敏感的場效應(yīng)晶體管（1）發(fā)生相應(yīng)的加熱之前就在場效應(yīng)晶體管（1）的至少一部分內(nèi)產(chǎn)生所述電場且保持該電場，直至該化學(xué)敏感的場效應(yīng)晶體管（1）在其不運行時被再次冷卻至正常溫度。
5.按照權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)（6），其特征在于，所述裝置被構(gòu)造用于在所述場效應(yīng)晶體管（1）的源極接頭（3）和漏極接頭（4）之間施加電壓，以便產(chǎn)生至少一個電場，為此所述裝置與所述源極接頭（3）和所述漏極接頭（4）導(dǎo)電地連接。
6.按照權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)（6），其特征在于，所述裝置被構(gòu)造用于在所述源極接頭（3）和所述柵極接頭（2）之間施加額外的電壓，為此所述裝置與所述源極接頭（3）和所述柵極接頭（2）導(dǎo)電地連接。
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