[發明專利]矩陣排列的晶體管組的尋址

有效

• 申請號: 201480055855.2
• 申請日: 2014-10-07
• 公開（公告）號: CN105723443B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: S·瑞德爾;J·希爾斯;J·哈丁
• 申請（專利權）人: 弗萊克因艾伯勒有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20;G09G3/36
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

一種包括晶體管陣列的裝置；其中該裝置包括為晶體管設置柵電極或源電極中的一個的第一導體(4a，4b)陣列，和為晶體管設置柵電極或源電極中的另一個的第二導體(2a，2b)陣列；其中該第一導體包含每個與晶體管陣列的相應的一組N行相關聯的導體；并且其中該晶體管列包含與第二導體陣列的相應的一組N個第二導體相關聯的晶體管列，并且每組N個第二導體中的每個第二導體與相應的晶體管列中相應的一組1/N的晶體管相關聯；其中N大于1。

晶體管陣列的尋址操作涉及獨立地控制該陣列的每個晶體管的漏電極處的電位。

一種尋址技術涉及，通過控制晶體管行的柵電極處的電壓循序地使晶體管行在截止狀態和導通狀態之間切換，并然后將相應的數據電壓施加到晶體管行中每個處于導通狀態的晶體管的源電極。一個或多個導體層限定了柵極導體陣列和源極導體陣列，每個柵極導體為該晶體管陣列的相應的晶體管行設置柵電極，并且被連接到柵極驅動器的相應的輸出端；而每個源極導體為該晶體管陣列的相應的晶體管列設置源電極，并且被連接到源極驅動器的相應的輸出端。

本申請的發明人已經認識到以下挑戰：開發一種用于在晶體管陣列中尋址晶體管的新技術。

本文提供一種包括晶體管陣列的裝置；其中該裝置包括為晶體管設置柵電極或源電極中的一個的第一導體的陣列，和為晶體管設置柵電極或源電極中的另一個的第二導體的陣列；其中該第一導體包含每個與晶體管陣列的相應的一組N行相關聯的導體；并且其中該晶體管列包含與第二導體陣列的相應的一組N個第二導體相關聯的晶體管列，并且每組N個第二導體中的每個第二導體與相應的晶體管列中相應的一組1/N的晶體管相關聯；其中N大于1。

根據一個實施例，N為大于1的整數。

根據一個實施例，第一導體為晶體管設置柵電極，而第二導體為晶體管設置源電極。

根據一個實施例，第一導體為晶體管設置源電極，而第二導體為晶體管設置柵電極。

根據一個實施例，N為2。

根據一個實施例，該裝置還包含一個或多個驅動器；其中第一導體和第二導體中的每個被連接到一個或多個驅動器芯片的相應的輸出端。

根據一個實施例，至少第一導體被布線在該晶體管陣列的至少一個拐角的周圍。

根據一個實施例，該裝置還包含像素導體陣列，其中每個像素導體行都與相應的晶體管行相關聯，而每個像素導體列都與相應的晶體管列相關聯。

根據一個實施例，該裝置還包含光學媒介，該光學媒介的光學狀態響應于一個或多個像素導體處的電位的改變而改變。

根據一個實施例，該裝置包括像素電極陣列，每個像素電極與所述晶體管陣列中的相應一個相關聯，以及每個晶體管行包括用于相應的像素電極行的晶體管，而每個晶體管列包括用于相應的像素電極列的晶體管。

參照附圖，僅通過非限制性示例的方式，在下文中詳細描述本發明的實施例，其中：

圖1是晶體管陣列的源極、漏極和柵極導體配置的示例的示意平面圖；

圖2和3是圖1中所例示的示例配置的一部分的示意剖面圖；

圖4是圖2和3中所示的像素導體的排列的示例的示意平面圖；

圖5例示了圖1中的源極、漏極和柵極導體的配置的另一個示例；

圖6例示了施加到圖1或圖5中的柵極和源極導體的信號的時序的示例；

圖7是晶體管陣列的源極、漏極和柵極導體的配置的另一個示例的示意平面圖；

圖8和9是圖7中所例示的示例配置的一部分的示意剖面圖；

圖10是圖7和8中所示的像素導體的排列的示例的示意平面圖；

圖11例示了圖7中的源極、漏極和柵極導體的配置的另一個示例；