[發明專利]處理材料的自由表面的方法和裝置

在審

• 申請號: 201480055854.8
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN105765115A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: J·尚普立奧德;M·阿爾巴里克;L·帕塔蒂
• 申請（專利權）人: 原子能及能源替代委員會
• 主分類號: C30B29/16
• 分類號: C30B29/16;C30B11/00;C30B29/06
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張力更

1.處理材料的自由表面的方法，包括發送至少一股第一氣體流(QL1_pur-QL4_pur和QC_pur)的步驟(E1)，由第一氣體流(QL1_pur-QL4_pur和QC_pur)清掃材料的自由表面的步驟(E2)，接著是通過至少一個排出區(103a-103d)排出第一氣體流的步驟(E3)，其特征在于，該方法包括，與發送第一氣體流(QL1_pur-QL4_pur和QC_pur)的步驟(E1)同時地，發送至少一股第二氣體流(Qa_pro-Qd_pro)的步驟(E4)，該第二氣體流(Qa_pro-Qd_pro)在材料(15)的自由表面的上方、距所述自由表面一定間隔形成保護蓋，以及通過容器(10)的所述排出區(103a-103d)的上部排出第二氣體流(Qa_pro-Qd_pro)的步驟(E6)，所述第一氣體流(QL1_pur-QL4_pur和QC_pur)通過排出區(103a-103d)的下部排出。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于，該材料容納在配備有至少一個排出開口的容器中，第二氣體流通過所述排出開口的上部排出并且第一氣體流通過排出開口的剩余下部排出。

3.根據權利要求2的方法，其特征在于，發送數目為N的第二氣體流(Qa_pro-Qd_pro)，然后分別通過容器(10)的N個排出開口(103a-103d)排出，N大于或等于二，尤其等于四。

4.根據權利要求2和3之一的方法，其特征在于，發送一組第一氣體流(QL1_pur-QL4_pur和QC_pur)，所述組包括垂直引向下的中心流(QC_pur)和分別指向材料的自由表面的多個周緣區域的多股側流(QL1_pur-QL4_pur)。

5.根據權利要求2至4之一的方法，其特征在于，確定所述第二氣體流(Qa_pro-Qd_pro)的尺寸以覆蓋所述排出開口(103a-103d)的水平寬度。

6.根據權利要求4和5之一的方法，其特征在于，第一中心流(QC_pur)自定位于排出開口(103a-103d)下方的發送區發送。

7.根據權利要求2至6之一的方法，其特征在于，所述第一和第二氣體流(QL1_pur-QL4_pur，QC_pur，Qa_pro-Qd_pro)從位于容器(10)的垂直中心軸上或附近的發送區發送。

8.根據權利要求2至7之一的方法，其特征在于，排出開口(103a-103d)的所述上部占開口(103a-103d)的總高度的最高達80％，尤其是所述高度的50％至70％。

9.根據權利要求4至8之一的方法，其特征在于，使側第一氣體流(QL1_pur-QL4_pur)沿著形成相對于垂線嚴格地在0°至90°之間，尤其是小于或等于45°的角度(θ)的方向指向。

10.前述權利要求之一的方法，其特征在于，第一氣體流(QL1_pur-QL4_pur，QC_pur)為凈化材料(15)的自由表面的氣體流，其包含相對于待處理的材料為惰性的氣體或氣體混合物。

11.前述權利要求之一的方法，其特征在于，清掃材料的自由表面的步驟(E2)在材料(15)的結晶操作的過程中實施。

12.處理材料的自由表面的裝置，其包含適合于實施根據權利要求1至11之一的方法的步驟的設備元件。