[發明專利]多層配線基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201480055473.X
• 申請日: 2014-09-24
• 公開（公告）號: CN105612820B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 吉田信之
• 申請（專利權）人: 日立化成株式會社
• 主分類號: H05K3/40
• 分類號: H05K3/40;H05K3/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 鐘晶;金鮮英

一種多層配線基板及其制造方法，所述多層配線基板具有：貫通上層配線用金屬箔和絕緣層的層間連接用孔、形成于該層間連接用孔的開口部的上層配線用金屬箔的突出、在該金屬箔的突出與所述層間連接用孔的內壁之間形成的下方空間、以及由填充電鍍層填充所述層間連接用孔而成的層間連接，填充所述層間連接用孔的填充電鍍層形成有兩層以上，下方空間被所述兩層以上的填充電鍍層中除最外層以外的任一層填充電鍍層填充，并且，由除最外層以外的任一層填充電鍍層所形成的層間連接的內部直徑與開口部直徑同等或其以上。

技術領域

本發明涉及多層配線基板及其制造方法，尤其涉及使用填充電鍍液來形成層間連接的多層配線基板及其制造方法。

背景技術

以往，采用如下多層配線基板：在形成有配線的內層材料上將半固化片或樹脂膜和其上層的金屬箔層疊一體化，利用激光設置層間連接用孔，形成基底無電解鍍層后，通過使用填充電鍍液形成的電鍍層(以下，有時簡稱為“填充電鍍層”。)來填埋上述層間連接用孔。

此時，尤其對于孔徑與絕緣層厚度相比為同等程度、即縱橫比為1左右以上的層間連接用孔，有在孔內部容易產生鍍層空洞(以下，有時簡稱為“空洞”。)的傾向。作為抑制這樣的鍍層空洞的方法，提出了應用以低電流密度長時間進行的電鍍方法、階段性地控制電流密度的電鍍方法的多層配線基板(專利文獻1)。此外，關于層間連接用孔的填埋，提出了從表面平滑性的觀點出發而應用將電鍍層的形成分2次進行的方法的多層配線基板(專利文獻2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003-318544號公報

專利文獻2：日本特開2009-21581號公報

發明內容

發明所要解決的課題

在通過利用敷形法、直接激光法的激光加工而形成的層間連接用孔中，在作為激光加工入口的層間連接用孔的開口部產生金屬箔的突出，而由于該金屬箔的突出，使得層間連接用孔的截面形狀中，開口部有時甚至變得比內部或底部窄。對于這樣的層間連接用孔，在由填充電鍍物進行填充時，在開口部的金屬箔的突出上析出的填充電鍍層會在填充電鍍物填充于層間連接用孔內部之前堵住層間連接用孔的開口部，成為產生鍍層空洞的原因之一。

近年來，小型化、薄型化的要求越來越高，從而有層間連接用孔的直徑變得更小、絕緣層厚度變得更薄、縱橫比變得更大的傾向，而伴隨于此，該開口部的金屬箔的突出相對于層間連接用孔的直徑、深度而言相對變大，因而容易影響鍍層空洞的產生。還認為，在層間連接的內部產生的空洞會由于長時間的使用、嚴酷條件下的使用而產生不良狀況。

專利文獻1的方法中，作為具有由包含聚酰亞胺樹脂等有機絕緣材料的絕緣層與包含銅等導體材料的配線交替層疊而成的多層結構的多層配線基板的制造方法，示出了控制電流密度以抑制空洞產生的方法，但本發明人進行了研究，結果是無法完全消除空洞。此外，專利文獻2的方法中，雖然凹陷產生量得以減少，但沒有得到抑制空洞產生的效果。

本發明的目的在于，提供一種對具有與絕緣層厚度同等程度的直徑的層間連接用孔也能夠抑制填充電鍍層的鍍層空洞的多層配線基板。

用于解決課題的方法

本發明涉及以下內容。

1.一種多層配線基板，其具有：將形成有內層配線的內層材料、絕緣層及上層配線用金屬箔層疊一體化而形成的層疊體；貫通該層疊體的上述上層配線用金屬箔和絕緣層的層間連接用孔；形成于該層間連接用孔的開口部的上層配線用金屬箔的突出；在該金屬箔的突出與上述層間連接用孔的內壁之間形成的下方空間；以及由填充電鍍層填充上述層間連接用孔而成的層間連接，