[發明專利]超高性能內插器

有效

• 申請號: 201480055465.5
• 申請日: 2014-08-06
• 公開（公告）號: CN105684145B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: C·E·尤佐;孫卓文
• 申請（專利權）人: 伊文薩思公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498;H01L23/14;H01L21/48
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

1.一種用于微電子組件中的互連部件，所述互連部件包括：

半導體材料層，所述半導體材料層具有第一表面和第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對并且在第一方向上與所述第一表面間隔開所述半導體材料層的厚度；

至少兩個金屬化通孔，每個所述金屬化通孔延伸穿過所述半導體材料層，并且具有位于所述第一表面的第一端部和位于所述第二表面的第二端部，所述至少兩個金屬化通孔中的第一對在正交于所述第一方向的第二方向上彼此間隔開；以及

所述半導體層中的第一絕緣通孔，所述第一絕緣通孔從所述第一表面朝所述第二表面延伸，所述第一絕緣通孔被定位成使得所述第一絕緣通孔的幾何中心處于兩個平面之間，所述兩個平面正交于所述第二方向，并且通過所述至少兩個金屬化通孔中的所述第一對中的每一個，并且所述第一絕緣通孔的幾何中心位于所述第一絕緣通孔內部；以及

電介質材料，所述電介質材料至少部分地填充所述第一絕緣通孔，或者至少部分地封閉所述第一絕緣通孔中的空隙，

其中所述第一絕緣通孔在垂直于所述第二方向的第三方向上具有寬度，所述寬度等于或者大于所述至少兩個金屬化通孔中的所述第一對之間的距離。

2.根據權利要求1所述的互連部件，其中所述第一絕緣通孔的內部體積的所有部分的導電率均不大于所述半導體材料層的導電率。

3.根據權利要求1所述的互連部件，其中所述第一絕緣通孔的內部體積的至少一部分是真空空隙或充氣空隙。

4.根據權利要求1所述的互連部件，其中所述第一絕緣通孔的內部體積的至少一部分由介電常數小于2.0的電介質材料占據。

5.根據權利要求1所述的互連部件，其中所述第一絕緣通孔被定位成使得穿過所述第一對金屬化通孔之間的理論線經過開口的幾何中心。

6.根據權利要求5所述的互連部件，其中所述開口在垂直于所述第二方向的方向上具有長度，所述長度大于所述至少兩個金屬化通孔中的所述第一對之間的距離。

7.根據權利要求1所述的互連部件，其中所述第一絕緣通孔至少部分地圍繞所述至少兩個金屬化通孔中的所述第一對中的一個金屬化通孔。

8.根據權利要求7所述的互連部件，其中所述第一絕緣通孔連續地圍繞至少一個所述金屬化通孔的至少一部分。

9.根據權利要求1所述的互連部件，其中所述第一絕緣通孔是所述半導體材料層中預定區域內的多個絕緣通孔中的一個，所述第一絕緣通孔被布置成至少部分地圍繞所述金屬化通孔中的至少一個。

10.根據權利要求9所述的互連部件，其中所述預定區域內的所述第一絕緣通孔是圓柱形的，并且被布置成至少一行，所述行大體在垂直于所述第二方向和所述第一方向的第三方向上延伸。

11.根據權利要求1所述的互連部件，其中所述第一絕緣通孔延伸穿過所述半導體材料層的整個厚度。

12.根據權利要求1所述的互連部件，其中所述至少兩個金屬化通孔中的第二對在正交于所述第一方向的第三方向上彼此間隔開，所述互連部件還包括所述半導體層中的第二絕緣通孔，所述第二絕緣通孔被定位成使得所述第二絕緣通孔的幾何中心處于兩個平面之間，所述兩個平面正交于所述第三方向，并且通過所述至少兩個金屬化通孔中的所述第二對中的每一個。

13.根據權利要求12所述的互連部件，其中所述第一對金屬化通孔中的一個通孔包括在所述第二對金屬化通孔中。

14.根據權利要求12所述的互連部件，其中所述第一絕緣通孔在平行于所述第一表面的截面中定義第一區域，所述第二絕緣通孔在平行于所述第一表面的截面中定義第二區域，所述第一區域比所述第二區域大。