[發(fā)明專利]具有交叉敏感度的傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480055305.0
• 申請日: 2014-08-28
• 公開（公告）號: CN105637362B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發(fā)明（設計）人: S·哈奎;S·M·伯里尼;R·懷特
• 申請（專利權）人: 諾基亞技術有限公司
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種用于感測的裝置，包括：

第一傳感器，所述第一傳感器包括對第一參數(shù)和第二參數(shù)敏感的傳感材料，其中對所述第一參數(shù)的敏感度改變對所述第二參數(shù)的敏感度；以及

第二傳感器，所述第二傳感器對所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)中的至少一個參數(shù)敏感，

其中來自所述第一傳感器和所述第二傳感器的輸出向處理電路提供輸入，以確定針對所述第一參數(shù)和/或所述第二參數(shù)的值。

2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述第一參數(shù)是形變并且所述第二參數(shù)是氣態(tài)分析物的濃度。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述第二參數(shù)是濕度。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述第二傳感器包括對所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)敏感的所述傳感材料。

5.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其中所述第一傳感器對所述第一參數(shù)的敏感度與所述第二傳感器對所述第一參數(shù)的敏感度不同。

6.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述第一傳感器和所述第二傳感器中的所述傳感材料包括石墨烯氧化物，但是所述第一傳感器和所述第二傳感器中的一個傳感器的材料包括所述第一傳感器和所述第二傳感器中的另一傳感器的材料所沒有的一個或多個官能團。

7.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述傳感材料包括從包括以下各項的組選擇的材料：石墨烯氧化物、石墨烯、官能化的石墨烯、氮化硼、過渡金屬硫族化物。

8.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述傳感材料包括相同材料的二維層的堆疊。

9.根據(jù)權利要求8所述的裝置，其中每個二維層具有小于1000nm的厚度。

10.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中針對所述第二參數(shù)的一個范圍的值，所述第一傳感器對所述第一參數(shù)的敏感度與所述第二傳感器對所述第一參數(shù)的敏感度不同。

11.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中針對所述第一參數(shù)的一個范圍的值，所述第一傳感器對所述第二參數(shù)的敏感度與所述第二傳感器對所述第二參數(shù)的敏感度不同。

12.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述第一傳感器被配置為對所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)中的一個參數(shù)而不是所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)中的另一參數(shù)敏感。

13.根據(jù)權利要求12所述的裝置，其中所述第二傳感器被配置為對所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)中的所述另一參數(shù)而不是所述第一參數(shù)和第二參數(shù)中的所述一個參數(shù)敏感。

14.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述第一傳感器被配置為對所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)兩者敏感并且所述第二傳感器被配置為對所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)中的僅一個參數(shù)敏感。

15.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述第一傳感器被配置為對所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)兩者敏感并且所述第二傳感器被配置為按與所述第一傳感器不同的方式對所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)兩者敏感。

16.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述第一傳感器對所述第一參數(shù)的敏感度被選擇性地控制。

17.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中所述第二傳感器對所述第二參數(shù)的敏感度被選擇性地控制。

18.根據(jù)權利要求1或2所述的裝置，其中傳感器的敏感度通過向所述傳感器提供附加結構而被選擇性地控制。