[發明專利]電壓-光轉換裝置有效
| 申請號: | 201480054851.2 | 申請日: | 2014-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN105874627B | 公開(公告)日: | 2018-04-24 |
| 發明(設計)人: | S·哈特曼;M·雷基特克;P·G·M·克呂特 | 申請(專利權)人: | OLED工廠有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 申屠偉進,劉春元 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電壓 轉換 裝置 | ||
1.一種電壓-光轉換裝置,包括:
- 第一電極(3),
- 第二電極(5),
- 電壓-光轉換材料(4),適于執行電壓-光轉換并被布置在第一電極(3)和第二電極(5)之間,和
- 用于至少封裝電壓-光轉換材料(4)的薄膜封裝(6,60,61),薄膜封裝(6,60,61)由第一阻擋層(6)、中間層(60)和第二阻擋層(7)形成,其中具有層邊緣(63)的中間層(60)由在用于制造電壓-光轉換裝置的工藝期間為液體的材料制成,
其中該電壓-光轉換裝置進一步包括在襯底(2)上的結構化導電層(3),第一和第二電極(3,5)的至少一個由結構化導電層(3)形成或電連接到結構化導電層(3),
其中結構化導電層(3)包括在邊緣區域(70)中的結構邊緣(10),邊緣區域(70)也包括中間層(60)的層邊緣(63),和
其中在邊緣區域(70)中,結構化導電層(3)的結構邊緣(10)的至少一部分不垂直于中間層(60)的層邊緣(63);
其中該結構化導電層(3)通過包括結構邊緣(10)的槽(9)來進行結構化,并且其中第一阻擋層(6)遵循該槽(9)的輪廓。
2.如權利要求1所限定的電壓-光轉換裝置,其中結構邊緣(10)是曲折型邊緣,使得結構邊緣(10)的至少一部分不垂直于層邊緣(63)。
3.如權利要求1所限定的電壓-光轉換裝置,其中在邊緣區域(70)中,結構邊緣(10)包括不垂直于層邊緣(63)的第一部分和與第一部分圍住在45至135度的范圍內的角度的鄰近的第二部分。
4.如權利要求1所限定的電壓-光轉換裝置,其中該電壓-光轉換材料(4)包括有機電壓-光轉換材料(4)。
5.如權利要求1所限定的電壓-光轉換裝置,其中該層邊緣(63)是聚合物層(60)的邊緣。
6.如權利要求1所限定的電壓-光轉換裝置,其中槽(9)的寬度沿著槽(9)的走向變化。
7.如權利要求6所限定的電壓-光轉換裝置,其中槽(9)包括具有較大寬度的較寬部分和具有較小寬度的較窄部分,其中較窄部分的序列布置在兩個較寬部分之間,且其中結構邊緣是由較窄部分形成的曲折型邊緣。
8.如權利要求1所限定的電壓-光轉換裝置,其中該導電層(3)是ITO層。
9.一種用于制造如權利要求1所限定的電壓-光轉換裝置的襯底,其中襯底(2)包括結構化導電層(3),且其中結構邊緣(10)是曲折型邊緣(10)。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





