[發(fā)明專利]太陽能電池及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480054724.2 | 申請日： | 2014-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN105723522B | 公開（公告）日： | 2017-09-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李東根 | 申請（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/04 | 分類號： | H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡勝有,蘇虹 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池，包括：
支承襯底；
在所述支承襯底上的背電極層；
在所述背電極層上的光吸收層；
在所述光吸收層上的緩沖層；以及
在所述緩沖層上的前電極層，
其中形成有貫穿所述背電極層和所述光吸收層的第一通槽，并且
所述光吸收層包括：
在所述背電極層上的第一光吸收層；以及
第二光吸收層，所述第二光吸收層接觸所述背電極層的通過所述第一通槽露出的內(nèi)側(cè)表面，
其中所述支承襯底包括絕緣體，
其中形成有貫穿所述光吸收層和所述緩沖層的第二通槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中所述光吸收層的內(nèi)側(cè)表面在所述第一通槽中傾斜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其中所述光吸收層的所述內(nèi)側(cè)表面包括彎曲表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其中所述第一通槽的寬度朝所述支承襯底的方向逐漸變窄。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其中所述第一光吸收層的側(cè)面平行于所述背電極層的側(cè)面，并且所述第一光吸收層的側(cè)面相對于所述第二光吸收層的側(cè)面傾斜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其中所述第二光吸收層的寬度朝所述支承襯底的頂表面的方向逐漸增大。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其中所述第二光吸收層的平均寬度在1μm至40μm的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽能電池，其中所述第一光吸收層與所述第二光吸收層一體地形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其中所述前電極層在所述第一通槽中沿所述光吸收層的側(cè)面延伸。
10.一種太陽能電池，包括：
支承襯底；
在所述支承襯底上的背電極層；
在所述背電極層上的光吸收層；
在所述光吸收層上的緩沖層；以及
在所述緩沖層上的前電極層，
其中形成有貫穿所述背電極層和所述光吸收層的第一通槽，并且
在所述第一通槽中，所述光吸收層的間隔距離比所述背電極層的間隔距離短，
其中所述支承襯底包括絕緣體，
其中形成有貫穿所述光吸收層和所述緩沖層的第二通槽。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其中所述光吸收層的所述間隔距離朝所述支承襯底的頂表面上的所述前電極的方向逐漸增大。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其中所述光吸收層的內(nèi)側(cè)表面在所述第一通槽中傾斜。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其中所述第一通槽的寬度朝所述支承襯底的方向逐漸變窄。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其中所述前電極層在所述第一通槽中沿所述光吸收層的側(cè)面延伸。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其中所述光吸收層在所述第一通槽中接觸所述背電極層的通過所述第一通槽露出的內(nèi)側(cè)表面。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的太陽能電池，其中在所述第一通槽中所述光吸收層的平均寬度在1μm至40μm的范圍內(nèi)。
17.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括：
在支承襯底上形成背電極層；
在所述背電極層上形成光吸收層；
在所述光吸收層中形成第一通槽；
在所述光吸收層上形成緩沖層；以及
在所述緩沖層上形成前電極層，
其中在所述光吸收層中形成所述第一通槽包括：
形成貫穿所述光吸收層和所述背電極層的所述第一通槽；以及
使所述光吸收層的內(nèi)側(cè)表面熔融以使得所述光吸收層能夠包圍通過所述第一通槽露出的所述背電極層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中包圍所述背電極層的內(nèi)側(cè)表面的所述光吸收層的平均寬度在1μm至40μm的范圍內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述光吸收層的所述內(nèi)側(cè)表面在所述第一通槽中傾斜。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一通槽的寬度朝所述支承襯底的頂表面的方向逐漸變窄。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
