[發明專利]半導體控制裝置、開關裝置、逆變器以及控制系統

有效

• 申請號: 201480054368.4
• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN105612682B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 大西悠季生
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H03K17/687
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;許梅鈺

1.一種半導體控制裝置，具備：

開關元件，其具有主元件和與所述主元件并聯連接的檢測元件；

控制電路，其將使所述檢測元件導通的負電壓偏置于所述檢測元件的檢測電極上，并對與所述開關元件的所述主元件串聯連接的其他的開關元件的泄漏電流進行檢測。

2.如權利要求1所述的半導體控制裝置，其中，

所述控制電路以使所述檢測元件的柵電極與所述檢測電極之間的電壓高于所述主元件的柵電極與所述主元件的主電極之間的電壓的方式而使所述負電壓偏置于所述檢測電極上。

3.如權利要求1或2所述的半導體控制裝置，其中，

所述控制電路以使與所述主元件相比而較大的電流流向所述檢測元件的方式而使所述負電壓偏置于所述檢測電極上。

4.如權利要求1或2所述的半導體控制裝置，其中，

所述控制電路以不使所述主元件導通而使所述檢測元件導通的方式，使所述負電壓偏置于所述檢測電極上。

5.如權利要求2所述的半導體控制裝置，其中，

在所述控制電路中，在將所述負電壓偏置于所述檢測電極上的情況下，降低偏置于所述主元件以及所述檢測元件的柵電極上的電壓。

6.如權利要求1或2所述的半導體控制裝置，其中，

在所述控制電路中，在檢測到所述主元件的兩端電壓為預定值以上的情況下，對所述泄漏電流進行檢測。

7.如權利要求1或2所述的半導體控制裝置，其中，

所述控制電路具有用于檢測所述泄漏電流的電阻，并經由該電阻而使所述負電壓偏置于所述檢測電極上。

8.如權利要求7所述的半導體控制裝置，其中，

所述控制電路具有：

第一電阻，其用于檢測所述泄漏電流；

第二電阻，其用于檢測所述主元件的過電流；

切換電路，其將所述檢測電極的連接對象切換為所述第一電阻或所述第二電阻。

9.如權利要求8所述的半導體控制裝置，其中，

所述第一電阻具有與所述第二電阻相比而較大的電阻值。

10.一種開關裝置，其中，

在高電位側和低電位側上安裝有權利要求1至9中的任意一項所述的半導體控制裝置。

11.如權利要求10所述的開關裝置，其中，

使所述負電壓按順次偏置于高電位側和低電位側的所述檢測元件的檢測電極上。

12.一種逆變器，其中，

以并列的方式安裝有多個權利要求10或11所述的開關裝置。

13.一種控制系統，具備：

權利要求12所述的逆變器；

與所述逆變器并聯連接的電容器；

蓄電池，其具有與所述電容器相比而較大的電容；

發生器，其經由所述逆變器而對所述電容器進行充電；

切斷電路，其切斷所述發生器的電力經由所述逆變器而向所述蓄電池的供給。

14.如權利要求13所述的控制系統，

具備以使所述電容器的電壓成為預定的閾值以上的方式而對所述切斷電路進行控制的控制部。

15.如權利要求14所述的控制系統，其中，

在所述控制部中，當檢測到所述電容器的電壓為所述閾值以上的情況時，順次使高電位側和低電位側的所述檢測元件導通。