[發(fā)明專利]檢定用于顯微光刻的圖案的合格性

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480054237.6
• 申請(qǐng)日: 2014-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN105593984B
• 公開（公告）日: 2018-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石瑞芳;馬克·瓦格納
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/027
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 張世俊

1.一種檢定光刻光罩合格性的方法，所述方法包括：

使用光學(xué)光罩檢驗(yàn)工具從所述光罩的每一圖案區(qū)域獲取不同成像配置的至少兩個(gè)圖像；

各自基于來自所述光罩的每一圖案區(qū)域的至少兩個(gè)圖像而重新構(gòu)建光罩圖案；

針對(duì)每一重新構(gòu)建的光罩圖案而在此重新構(gòu)建的光罩圖案上模型化具有兩種或兩種以上不同工藝條件的光刻工藝以產(chǎn)生兩個(gè)或兩個(gè)以上對(duì)應(yīng)模型化測(cè)試晶片圖案；以及

各自分析兩個(gè)或兩個(gè)以上模型化測(cè)試晶片圖案以識(shí)別所述光罩圖案的熱點(diǎn)圖案，所述熱點(diǎn)圖案易受所述不同工藝條件的影響，而改變由此類熱點(diǎn)圖案形成的晶片圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中不同成像配置下的所述至少兩個(gè)圖像包含經(jīng)反射及經(jīng)透射圖像。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中不同成像配置下的所述至少兩個(gè)圖像包含具有不同光瞳形狀及/或不同焦點(diǎn)條件的至少兩個(gè)經(jīng)反射圖像。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中不同成像配置下的所述至少兩個(gè)圖像包含可通過數(shù)學(xué)迭代過程從其確定掩模的圖案的振幅及相位的信息。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述兩種或兩種以上不同工藝條件包含兩種或兩種以上不同曝光及焦點(diǎn)設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述兩種或兩種以上不同曝光及焦點(diǎn)設(shè)置包含來自焦點(diǎn)曝光矩陣FEM的多個(gè)曝光及焦點(diǎn)設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中模型化包含模型化光致抗蝕劑材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中模型化包含模型化蝕刻或化學(xué)機(jī)械平坦化CMP工藝。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在運(yùn)用此光罩的大量晶片制造開始之前或在運(yùn)用此光罩的任何晶片制造之前識(shí)別熱點(diǎn)圖案。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

基于多個(gè)后光學(xué)接近校正設(shè)計(jì)圖案而模擬多個(gè)參考光罩圖案；以及

對(duì)每一參考光罩圖案執(zhí)行所述模型化操作以產(chǎn)生兩個(gè)或兩個(gè)以上對(duì)應(yīng)模型化參考晶片圖案，

其中分析包含比較每一模型化測(cè)試晶片圖案與其對(duì)應(yīng)參考晶片圖案，及當(dāng)源自此比較的差異超過預(yù)定閾值時(shí)，識(shí)別此模型化測(cè)試圖案的熱點(diǎn)圖案。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括針對(duì)參考及測(cè)試光罩圖案識(shí)別多個(gè)初始熱點(diǎn)位置，及產(chǎn)生僅對(duì)應(yīng)于初始熱點(diǎn)位置的模型化測(cè)試及參考晶片圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在每一熱點(diǎn)圖案的對(duì)應(yīng)兩個(gè)或兩個(gè)以上模型化測(cè)試晶片圖案針對(duì)所述兩種或兩種以上不同工藝條件變化達(dá)預(yù)定量時(shí)識(shí)別所述熱點(diǎn)圖案。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中各自分析兩個(gè)或兩個(gè)以上模型化測(cè)試晶片圖案包含分析多個(gè)對(duì)應(yīng)后OPC設(shè)計(jì)圖案以區(qū)分所述兩種或兩種以上不同工藝條件對(duì)用以制造所述光罩的設(shè)計(jì)的作用與所述兩種或兩種以上不同工藝條件對(duì)所述光罩的作用。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括以低于未對(duì)應(yīng)于經(jīng)識(shí)別熱點(diǎn)圖案的晶片圖案的閾值來檢驗(yàn)由此光罩制造的對(duì)應(yīng)于所述經(jīng)識(shí)別熱點(diǎn)圖案的晶片圖案。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括修改對(duì)應(yīng)于經(jīng)識(shí)別熱點(diǎn)圖案的設(shè)計(jì)圖案及基于此經(jīng)修改設(shè)計(jì)圖案而制造新光罩。