[發明專利]生產氫氣檢測傳感器的方法和所得傳感器

有效

• 申請號: 201480054023.9
• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN105745529B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發明（設計）人: 吉列爾莫·埃斯皮諾薩魯達;諾拉·馬汀茲桑斯;阿古斯丁·羅德里格斯岡薩雷斯艾力皮;佩德羅·卡斯蒂列羅杜蘭;安赫爾·巴蘭科科洛;弗朗西斯科·于貝洛瓦林西亞;胡安佩德羅·埃斯皮諾斯曼左拉;何塞·可迪諾包蒂斯塔;弗朗西斯科·加西亞加西亞
• 申請（專利權）人: 阿本果太陽能新技術有限公司
• 主分類號: G01N21/78
• 分類號: G01N21/78;G01N33/22;C23C14/10;C23C14/35
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙) 11276
• 代理人: 劉云貴

1.一種生產氫氣檢測傳感器的方法，其特征在于其包含以下階段：

階段1：使用掠射角構形(GLAD)的物理氣相沉積(PVD)在襯底上沉積活性氧化物以形成所述氧化物的多孔層；

階段2：制備活性金屬的前體化合物溶液；

階段3：在階段1中制備的所述氧化物的多孔層的表面上沉積階段2中制備的所述溶液；

階段4：在階段1中制備的所述氧化層的孔隙中包含所述活性金屬前體，外加使用熱處理或使用光化處理分解所述金屬前體。

2.根據權利要求1所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中在階段2中制備的所述溶液中，其在階段4使用熱處理進行時進一步包含聚合載體。

3.根據權利要求2所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述載體以0.5與5重量％之間的濃度使用。

4.根據權利要求3所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述載體以1重量％的濃度使用。

5.根據權利要求2所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述載體為聚合物聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)。

6.根據權利要求1所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中沉積的所述活性氧化物選自簡單氧化物和混合氧化物。

7.根據權利要求6所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述活性簡單氧化物為包含選自IVB、VB、VIB、IIB、IIIA、IVA族的金屬的金屬氧化物。

8.根據權利要求7所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述活性簡單氧化物選自包含以下的群組：WO₃、MoO₃、Ta₂O₅、TiO₂、ZnO、V₂O₅、SnO₂和In₂O₃。

9.根據權利要求6所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述活性混合氧化物由活性簡單氧化物和中性氧化物的混合物形成。

10.根據權利要求9所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述中性氧化物選自包含SiO₂和Al₂O₃的群組。

11.根據權利要求1所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中沉積所述氧化物中的所述掠射角在60°與90°之間。

12.根據權利要求1所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中階段1中沉積的所述活性氧化層的厚度小于一微米。

13.根據權利要求12所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中階段1中沉積的所述活性氧化層的厚度在200nm與600nm之間。

14.根據權利要求13所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中階段1中沉積的所述活性氧化層的厚度為400nm。

15.根據權利要求1所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述活性金屬前體選自卟啉，其具有所述活性金屬核心和所述活性金屬的鹽。

16.根據權利要求1所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述活性金屬選自包含鈀(Pd)和鉑(Pt)的群組。

17.根據權利要求1所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中用于制備階段2的所述溶液的所述溶劑選自二氯甲烷和丙酮。

18.根據權利要求1所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述熱處理在250℃與500℃之間的溫度下進行。

19.根據權利要求18所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中所述熱處理在350℃的溫度下進行。

20.根據權利要求1所述的生產氫氣檢測傳感器的方法，其中在階段1中制備的所述氧化物的多孔層的表面上沉積階段2中制備的所述溶液是使用選自旋涂和浸涂的技術進行。