[發明專利]包含四取代苯并雜二唑化合物的發光太陽能集中器有效
| 申請號: | 201480053879.4 | 申請日: | 2014-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN105637655B | 公開(公告)日: | 2018-01-23 |
| 發明(設計)人: | S·圣雷利;A·A·普羅托 | 申請(專利權)人: | 艾尼股份公司 |
| 主分類號: | H01L31/052 | 分類號: | H01L31/052 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 李翼 |
| 地址: | 意大*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包含 取代 雜二唑 化合物 發光 太陽能 集中器 | ||
1.一種發光太陽能集中器(LSC),其包含具有式(Ia)的5,6-二氟-4,7-二(噻吩-2’-基)-2,1,3-苯并噻二唑(DTBF2):
2.具有通式(Ia)的5,6-二氟-4,7-二(噻吩-2’-基)-2,1,3-苯并噻二唑(DTBF2)在構建發光太陽能集中器(LSC)中的用途
3.光伏裝置或者太陽能裝置,其選自在剛性和撓性載體二者上的光伏電池或者太陽能電池、光伏模塊或者太陽能模塊,包含根據權利要求1的發光太陽能集中器(LSC),所述發光太陽能集中器包括具有通式(Ia)的5,6-二氟-4,7-二(噻吩-2’-基)-2,1,3-苯并噻二唑(DTBF2)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





