[發明專利]測量晶片的損傷的深度的方法

有效

• 申請號: 201480053840.2
• 申請日: 2014-08-12
• 公開（公告）號: CN105593983B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 李圭炯
• 申請（專利權）人: LG矽得榮株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/304
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 金紅蓮

1.一種測量對晶片的損傷的深度的方法，包括：

使用X射線衍射設備，獲取準備的晶片的第一搖擺曲線；

在所述第一搖擺曲線中設置具有比基準水平更高強度的X射線入射角范圍，計算所設置的X射線入射角的面間距，使用所計算出的面間距，計算所述晶片的應變值，以及基于所計算出的應變值，提取采樣的應變值；

基于對應于所采樣的應變值中的每一個的X射線衍射光束的強度，根據對所述晶片的損傷程度，建模厚度；

基于所設置的X射線入射角范圍、所計算出的面間距、所采樣的應變值以及所建模的厚度，獲取第二搖擺曲線；

通過改變所述設置的X射線入射角范圍、所述面間距、所述采樣的應變值以及所述建模的厚度中的至少一項，將所述第二搖擺曲線與所述第一搖擺曲線匹配；以及

基于匹配的結果，計算對所述晶片的損傷的深度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，獲取第一搖擺曲線包括：

在所述晶片上設置用于對其進行結晶評估的點；

在所述晶片上的所述設置的點，獲取X射線搖擺曲線；以及

比較所述晶片上的所述設置的點處的所述X射線搖擺曲線的FWHM(半極大處全寬度)，以便根據所述比較的結果，獲取所述第一搖擺曲線。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述X射線搖擺曲線當中，具有最大的FWHM的所述X射線搖擺曲線被選為所述第一搖擺曲線。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一搖擺曲線飽和時的所述衍射光束的所述強度被設置為所述基準水平。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片的應變值中的每一個是減除面間距和基準面間距之間的比率，所述基準面間距是對應于所述第一搖擺曲線中的所述衍射光束的最大的強度值的面間距，以及所述減除面間距是在計算面間距時計算出的所述面間距與所述基準面間距之間的差。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在提取采樣的應變值中，基于所計算出的應變值的最高值，提取所述采樣的應變值。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據對所述晶片的損傷程度來建模厚度包括：

獲取對應于所述采樣的應變值中的每一個的所述X射線衍射光束的所述強度；以及

根據對所述晶片的機械損傷的程度，與所獲取的所述X射線衍射光束的強度成比例地，建模所述厚度。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，根據對所述晶片的損傷程度來建模厚度包括：

根據對所述晶片的損傷程度，在晶片的深度方向，將所述晶片分割為多個部分；

獲取對應于所述采樣的應變值中的每一個的所述X射線衍射光束的所述強度；以及

與所述X射線衍射光束的所獲取的強度成比例地，在所述部分中的每一個中設置厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在獲取第一搖擺曲線時，所述晶片是通過對單晶錠進行切片而獲得的半導體晶片或是通過在所述半導體晶片的表面上執行精研、研磨以及拋光中的至少一項獲得的晶片。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在匹配所述第二搖擺曲線與所述第一搖擺曲線時，通過調整在所述部分中的每一個中設置的所述厚度，將所述第二搖擺曲線與所述第一搖擺曲線匹配。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在計算對所述晶片的損傷的深度時，將所述部分中的經調整的厚度全部相加，以便根據所述相加的結果，計算對所述晶片的損傷的所述深度。

12.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述晶片上的用于對晶片進行結晶評估的點包括所述晶片上的中心點、所述晶片上的邊緣點以及沿著所述晶片的半徑位于半途的點。

13.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述晶片上的用于對晶片進行結晶評估的點被定位為彼此徑向地分離。