[發(fā)明專利]用于制造具有發(fā)光二極管的光電子器件的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480053826.2 | 申請日： | 2014-09-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105593999B | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 克里斯多夫·布維爾;埃米莉·普茹瓦斯;澤維爾·于翁;卡洛·卡利;蒂費(fèi)納·杜邦;菲力浦·吉貝爾;納賽爾·艾特曼 | 申請（專利權(quán)）人： | 原子能與替代能源委員會(huì);艾利迪公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;H01L33/08;H01L33/38;H01L33/18;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 楊生平;任慶威 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 制造 具有 發(fā)光二極管 光電子 器件 方法 | ||
1.一種制造光電子器件(14)的方法，包括以下的連續(xù)步驟：
(a)提供具有第一表面(22)的襯底(10)；
(b)在所述襯底中形成第一絕緣溝槽(194)，所述第一絕緣溝槽從所述第一表面延伸；
(c)在所述第一表面上形成包括圓錐形或尖椎形的線形半導(dǎo)體元件的發(fā)光二極管(LED)的組件；
(d)針對發(fā)光二極管的每個(gè)組件，形成覆蓋所述組件的每個(gè)發(fā)光二極管的電極層(36)和在所述組件的所述發(fā)光二極管周圍覆蓋所述電極層的導(dǎo)電層(38)；
(e)覆蓋包封所述發(fā)光二極管的層(40)的整體第一表面；
(f)減小襯底厚度，在步驟(f)之后所述襯底具有與所述第一表面(22)相反的第二表面(44)，所述第一絕緣溝槽在步驟(f)之后從所述第一表面延伸到所述第二表面并且包圍所述襯底的第一部分，所述發(fā)光二極管的組件位于所述襯底的第一部分上；
(g)形成與所述襯底絕緣并且從所述第二表面跨所述襯底一直到至少所述第一表面(22)的導(dǎo)電元件(56)，所述導(dǎo)電元件與所述導(dǎo)電層相接觸；
(h)在步驟(e)、步驟(f)和步驟(g)之后，在所述第二表面上形成與所述襯底相接觸的至少一個(gè)第一導(dǎo)電墊(52、60、82、102、132)；并且
(i)將在所述第一絕緣溝槽之間所獲得的結(jié)構(gòu)切割以分開發(fā)光二極管的每個(gè)組件，
其中，步驟(g)至少部分在步驟(c)之前被執(zhí)行并且包括在步驟(c)之前跨所述襯底厚度的一部分從所述第一表面(22)在所述襯底中蝕刻開口(92)，所述開口在步驟(f)處在所述第二表面(44)上被打開，
其中，所述方法還包括：在步驟(c)之前至少在所述開口(92)的側(cè)壁上形成絕緣部分(122)，并且利用導(dǎo)電材料填充所述開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括：在步驟(g)處，在所述第二表面(44)上形成與所述導(dǎo)電元件(56)相接觸的至少一個(gè)第二導(dǎo)電墊(72、90、134)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，包括：形成與所述襯底絕緣并且從所述第二表面跨所述襯底一直到至少所述第一表面(22)并且與所述發(fā)光二極管(LED)中的至少一個(gè)的基極相接觸的至少一個(gè)額外的導(dǎo)電元件(106、110)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述導(dǎo)電元件(56)的形成連續(xù)地包括：在步驟(f)之后，從所述第二表面(44)在所述襯底(10)中蝕刻開口(46)，至少在所述開口的側(cè)壁上形成絕緣層(48)，并且形成覆蓋所述絕緣層的導(dǎo)電層(54)，或者利用導(dǎo)電材料填充所述開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電極層(36)和所述導(dǎo)電層(38)還被形成在所述開口(92)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，包括：在步驟(f)之前將支撐體(42)附接到包封所述發(fā)光二極管(LED)的所述層(40)的步驟。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，包封所述發(fā)光二極管(LED)的所述層(40)包括在所述發(fā)光二極管之間的熒光粉。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，包括對覆蓋包封所述發(fā)光二極管(LED)的所述層(40)的熒光粉層(206)或覆蓋所述支撐體(42)的所述熒光粉層(206)進(jìn)行形成的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，包括：在包封所述發(fā)光二極管(LED)的所述層(40)與所述熒光粉層(206)之間形成能夠發(fā)射由所述發(fā)光二極管發(fā)出的光線且反射由所述熒光粉發(fā)出的光線的層(222)的步驟。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，包括：在所述襯底(10)與包封所述發(fā)光二極管(LED)的并且具有比所述發(fā)光二極管的高度大50％的高度的所述層(40)之間在所述發(fā)光二極管(LED)周圍形成反射器(232、242)的步驟。
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