[發明專利]具有高遷移率溝道的半導體器件

在審

• 申請號: 201480053562.0
• 申請日: 2014-09-08
• 公開（公告）號: CN105593985A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發明（設計）人: B·楊;P·齊達姆巴蘭姆;J·J·朱;J·舒;D·楊;R·M·托迪;G·納拉帕蒂;C·H·甘;M·蔡;S·森古普塔
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L29/66
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 李小芳

1.一種半導體器件，包括：

源極區和漏極區之間的高遷移率溝道，其中所述高遷移率溝道基本上延伸柵極的長度；以及

從所述源極區或所述漏極區朝所述高遷移率溝道延伸的摻雜區，其中基板的一部分位于所述摻雜區和所述高遷移率溝道之間，使得所述摻雜區不與所述高遷移率溝道接觸。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述摻雜區從所述源極區朝所述高遷移率溝道延伸。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述摻雜區從所述漏極區朝所述高遷移率溝道延伸。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，進一步包括柵極，其中所述高遷移率溝道耦合到所述柵極。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，進一步包括耦合到所述柵極的分隔件，其中所述摻雜區與所述分隔件接觸。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述摻雜區與所述源極區或所述漏極區接觸，并且其中所述摻雜區與所述基板和分隔件接觸。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，在所述半導體器件處于導通狀態時，所述摻雜區與所述源極區或所述漏極區之間的結啟用從所述源極區到所述漏極區的高遷移率載流子路徑。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，在所述半導體器件處于截止狀態時，所述摻雜區與所述高遷移率溝道之間的結提供用于抑制電流泄漏的阻擋層。

9.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述基板的所述部分與一分隔件接觸，并且其中所述基板包括硅。

10.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述摻雜區不在所述柵極下延伸。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述高遷移率溝道不在分隔件下延伸。

12.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述基板的所述部分與所述摻雜區之間的結位于分隔件之下。

13.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述高遷移率溝道和所述摻雜區被集成在至少一個半導體管芯中。

14.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述高遷移率溝道和所述摻雜區被集成到移動電話、蜂窩電話、便攜式計算機、無線電裝置、衛星無線電裝置、通信設備、便攜式音樂播放器、便攜式數字視頻播放器、導航設備、個人數字助理(PDA)、移動位置數據單元、或其組合中。

15.如權利要求1所述的器件，其特征在于，所述高遷移率溝道和所述摻雜區被集成到機頂盒、娛樂單元、固定位置數據單元、臺式計算機、監視器、計算機監視器、電視機、調諧器、音樂播放器、數字音樂播放器、視頻播放器、數字視頻播放器、數字視頻碟(DVD)播放器、或其組合中。

16.一種用于半導體器件的方法，包括：

形成與半導體器件的源極區或漏極區相關聯的摻雜區；以及

在所述半導體器件內形成高遷移率溝道，其中所述摻雜區在形成所述高遷移率溝道之前被退火，其中所述摻雜區從所述源極區或所述漏極區朝所述高遷移率溝道延伸，并且其中所述半導體器件的基板的一部分位于所述摻雜區和所述高遷移率溝道之間，使得所述摻雜區不與所述高遷移率溝道接觸。

17.如權利要求16所述的方法，其特征在于，進一步包括沉積與所述源極區相關聯的源極注入物以及沉積與所述漏極區相關聯的漏極注入物。