[發明專利]用于修整電阻式存儲器中的參考電平的系統、裝置和方法

有效

• 申請號: 201480053559.9
• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN105593940B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: T·金;J·P·金;S·金
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: G11C7/14
• 分類號: G11C7/14;G11C11/15;G11C11/16;G11C13/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 袁逸

1.一種用于電子設備的方法，包括：

在電阻式存儲器設備處：

初始化第一參考單元集合中的特定參考單元，以使得第一磁性隧道結器件處于平行狀態并且第二磁性隧道結器件處于反平行狀態；

在初始化所述特定參考單元之后，測量第一有效參考電阻，所述第一有效參考電阻基于所述電阻式存儲器設備的所述第一參考單元集合；

測量第二有效參考電阻，所述第二有效參考電阻基于所述電阻式存儲器設備的第二參考單元集合；

基于所述第一有效參考電阻和所述第二有效參考電阻來確定目標參考電阻電平；以及

至少部分地基于所述目標參考電阻電平來修整參考電阻。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一參考單元集合對應于所述電阻式存儲器設備的第一字線，并且其中所述第二參考單元集合對應于所述電阻式存儲器設備的第二字線。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電阻式存儲器設備是磁阻式隨機存取存儲器MRAM設備、電阻式隨機存取存儲器ReRAM設備、相變隨機存取存儲器PCRAM設備或其任何組合。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括將與數據單元相關聯的磁性隧道結器件的電阻值與目標參考電阻電平進行比較。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括將可變電阻器的電阻值設為近似等于所述目標參考電阻電平。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，修整所述參考電阻包括將可變電阻器的電阻值設為近似等于所述目標參考電阻電平，并且其中所述方法進一步包括將與數據單元相關聯的磁性隧道結器件的電阻值與所述可變電阻器的電阻值進行比較以確定位值。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，設置所述可變電阻器的所述電阻值包括：

響應于確定在所述可變電阻器處測量出的電阻值大于所述目標參考電阻電平，減小所述可變電阻器處的電阻值；以及

響應于確定在所述可變電阻器處測量出的電阻值小于所述目標參考電阻電平，增大所述可變電阻器處的電阻值。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，修整所述參考電阻包括修改所述第一有效參考電阻。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，修改所述第一有效參考電阻包括改變與所述第一參考單元集合中的參考單元相關聯的磁性隧道結器件的狀態。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，修改所述第一有效參考電阻包括：

響應于確定所述第一有效參考電阻并非基本上等于所述目標參考電阻電平：

響應于確定所述第一有效參考電阻大于所述目標參考電阻電平，增大與所述第一有效參考電阻相關聯的處于平行狀態的第一磁性隧道結器件的數目，減小與所述第一有效參考電阻相關聯的處于反平行狀態的第二磁性隧道結器件的數目或其任何組合；以及

響應于確定所述第一有效參考電阻小于所述目標參考電阻電平，增大與所述第一有效參考電阻相關聯的處于反平行狀態的第二磁性隧道結器件的數目，減小與所述第一有效參考電阻相關聯的處于平行狀態的第一磁性隧道結的數目或其任何組合。

11.如權利要求8所述的方法，其特征在于，修整所述參考電阻進一步包括修改與所述電阻式存儲器設備的諸附加參考單元集合相關聯的相應有效參考電阻。

12.如權利要求8所述的方法，其特征在于，進一步包括：

將與關聯于所述第一參考單元集合的數據磁性隧道結器件相關聯的電阻值與經修改的第一有效參考電阻進行比較以確定位值；

在測量所述第一有效參考電阻之前，通過將所述第一磁性隧道結器件置于平行狀態并將所述第二磁性隧道結器件置于反平行狀態來初始化所述特定參考單元。