[發明專利]金剛石基板及金剛石基板的制造方法

有效

• 申請號: 201480053428.0
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN105579624B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 會田英雄;小山浩司;池尻憲次朗;金圣祐
• 申請（專利權）人: 安達滿納米奇精密寶石有限公司
• 主分類號: C30B29/04
• 分類號: C30B29/04;C23C16/27
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;蔡麗娜

1.一種金剛石基板的制造方法，其特征在于，

準備與金剛石基板不同種類的基底基板，該基底基板是氧化鎂、氧化鋁、硅、石英、鉑、銥、鈦酸鍶中的任意一種，

在該基底基板的單面上形成多個由金剛石單晶體構成的柱狀金剛石，

使金剛石單晶體從各柱狀金剛石的末端生長，在沒有埋沒各柱狀金剛石的情況下使從各柱狀金剛石的末端生長出的各金剛石單晶體聚結而形成金剛石基板層，

通過柱狀金剛石的破壞將金剛石基板層從基底基板分離，

由金剛石基板層制造金剛石基板，

將金剛石基板的平面方向的形狀形成為圓形或者設置有定向平面的圓形，且直徑為2英寸以上。

2.根據權利要求1所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，

使所述柱狀金剛石中產生應力來破壞所述柱狀金剛石，從而進行所述基底基板與所述金剛石基板層的分離。

3.根據權利要求2所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，

所述應力是由于所述基底基板與所述金剛石基板層之間的晶格常數差而產生的應力、以及/或者、由于所述基底基板與所述金剛石基板層之間的熱膨脹系數差而產生的應力。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，

所述各柱狀金剛石的縱橫比為5以上。

5.根據權利要求1至3中的任一項所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，

所述柱狀金剛石的直徑和間距分別被設定為10μm以下。

6.根據權利要求1至3中的任一項所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，

所述基底基板的所述單面的表面粗糙度Ra為10nm以下。

7.根據權利要求1至3中的任一項所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，

將所述柱狀金剛石的高度方向設定為與形成所述柱狀金剛石的金剛石單晶體的(001)面垂直的方向。

8.根據權利要求1至3中的任一項所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，

所述柱狀金剛石是圓柱狀，

在高度方向上，所述柱狀金剛石的中心部分的直徑形成得比末端部分的直徑小。

9.根據權利要求1至3中的任一項所述的金剛石基板的制造方法，其特征在于，

所述直徑為2英寸以上且8英寸以下。