[發明專利]離子植入機中的碳化硅鍍膜

有效

• 申請號: 201480053311.2
• 申請日: 2014-09-24
• 公開（公告）號: CN105593401B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 羅伯特·J·梅森;沙杜·佩特爾;羅伯特·H·貝當古;提摩西·J·米勒
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: C23C14/48
• 分類號: C23C14/48;C23C14/06
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 張洋,臧建明

1.一種離子植入機，包括：

離子源，包括離子源室，所述離子源室具有由介電材料構建的第一壁、相對的導電的第二壁以及多個導電側壁，其中提取孔口安置在所述導電的第二壁中；

離子發生器，經安置而接近所述第一壁并且在所述離子源室外，所述離子發生器在所述離子源室內產生等離子；

多個導電的襯墊，每一個與所述導電側壁的相應的內表面相對安置并且與其處于電聯通；以及

提取電極組件，經安置而接近所述提取孔口并且在所述離子源室外，所述提取電極組件包括一或多個導電電極；

其中所述導電的第二壁以及所述多個導電側壁與第一偏壓處于聯通，且所述一或多個導電電極與一或多個第二偏壓處于聯通，以穿過所述提取孔口從所述離子源室吸引離子，且

其中，所述導電的襯墊、所述導電的第二壁的內表面以及所述提取電極組件中的至少一個鍍有低電阻率的碳化硅。

2.根據權利要求1所述的離子植入機，其中所述碳化硅具有小于1歐姆-厘米的電阻率。

3.根據權利要求1所述的離子植入機，其中所述導電的襯墊的每一個包括面向所述離子源室的內部的第一表面以及面向相應的所述導電側壁的相對的第二表面，并且所述第一表面鍍有所述低電阻率的碳化硅。

4.根據權利要求3所述的離子植入機，其中所述襯墊的所述第二表面鍍有所述低電阻率的碳化硅。

5.根據權利要求1所述的離子植入機，其中所述導電電極的表面鍍有所述低電阻率的碳化硅。

6.根據權利要求5所述的離子植入機，其中所述導電電極中的每一個包括相應的孔口，并且圍繞所述相應的孔口的所述導電電極中的每一個的一部分鍍有所述低電阻率的碳化硅。

7.一種離子植入機，包括：

離子源，包括離子源室，所述離子源室具有第一壁、相對的導電的第二壁以及多個導電側壁，其中提取孔口安置在所述導電的第二壁中；

離子發生器，經安置而接近所述第一壁并且在所述離子源室外，所述離子發生器在所述離子源室內產生等離子；

多個導電石墨襯墊，每一個與所述導電側壁的相應的內表面相對安置并且與其處于電聯通，所述導電石墨襯墊中的每一個包括面向所述離子源室的內部的第一表面以及面向相應的所述導電側壁的相對的第二表面，其中所述第一表面鍍有低電阻率碳化硅；以及

提取電極組件，經安置而接近所述提取孔口并且在所述離子源室外，所述提取電極組件包括一或多個導電電極，所述導電電極的每一個具有相應的孔口，其中圍繞所述相應的孔口的每一個所述導電電極的一部分鍍有所述低電阻率碳化硅；

其中所述導電的第二壁以及所述多個導電側壁與第一偏壓處于聯通，且所述一或多個導電電極與一或多個第二偏壓處于聯通，以穿過所述提取孔口從所述離子源室吸引離子，且

其中所述低電阻率碳化硅具有小于1歐姆-厘米的電阻率。

8.根據權利要求7所述的離子植入機，其中所述導電的第二壁的內表面鍍有所述低電阻率碳化硅。

9.根據權利要求8所述的離子植入機，其中所述導電的第二壁與所述導電側壁連接的區域不鍍有所述低電阻率碳化硅。

10.一種離子植入機，包括：

離子源，包括離子源室，所述離子源室具有第一壁、相對的導電的第二壁以及多個導電側壁，其中提取孔口安置在所述導電的第二壁中；以及

提取電極組件，經安置而接近所述提取孔口并且在所述離子源室外，所述提取電極組件包括一或多個導電電極，

其中所述導電的第二壁以及所述多個導電側壁與第一偏壓處于聯通，且所述一或多個導電電極與一或多個第二偏壓處于聯通，以穿過所述提取孔口從所述離子源室吸引離子，且

其中所述導電的第二壁的內表面、所述多個導電側壁中的一個的內表面以及所述提取電極組件中的至少一個涂覆有低電阻率碳化硅。

11.根據權利要求10所述的離子植入機，其中所述低電阻率碳化硅具有小于1歐姆-厘米的電阻率。

12.根據權利要求10所述的離子植入機，還包括多個導電的襯墊，每一個與所述導電側壁的相應的內表面相對安置并且與其處于電聯通。