[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜晶體管陣列及圖像顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480053246.3
• 申請(qǐng)日: 2014-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105580120B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊谷稔;池田典昭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 凸版印刷株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/336
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L21/288;H01L29/786;H01L51/05
• 代理公司: 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 白麗;陳建全

1.一種薄膜晶體管陣列，其是至少具備絕緣基板、柵電極、柵極絕緣膜、源電極、漏電極、半導(dǎo)體層、覆蓋所述半導(dǎo)體層的保護(hù)層、像素電極、以及形成在所述漏電極與所述像素電極之間的層間絕緣膜的薄膜晶體管陣列，其中，

所述層間絕緣膜是有機(jī)膜或有機(jī)與無(wú)機(jī)的混合膜，

所述層間絕緣膜在形成有所述漏電極的位置的一部分具有通孔以使所述像素電極連接于所述漏電極，

所述漏電極具有位于所述通孔內(nèi)且在電極材料上形成有開(kāi)口的開(kāi)口部，

在所述通孔內(nèi)的所述漏電極上存在硫醇基或二硫化物基。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述通孔的開(kāi)口端存在于所述漏電極的端部或所述漏電極上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述層間絕緣膜的厚度為0.5μm以上且5μm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述層間絕緣膜利用噴墨印刷法、絲網(wǎng)印刷法或凹版膠印法形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述半導(dǎo)體層是有機(jī)半導(dǎo)體層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列，其中，所述絕緣基板是塑料基板。

7.一種圖像顯示裝置，其具備權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列和圖像顯示介質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖像顯示裝置，其中，所述圖像顯示介質(zhì)是利用電泳方式的介質(zhì)。