[發(fā)明專利]涂覆的襯托器和抗彎曲法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480053217.7
• 申請(qǐng)日: 2014-09-24
• 公開（公告）號(hào): CN105637118A
• 公開（公告）日: 2016-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 弗朗西斯科·科里亞;D·克里帕;勞拉·戈博;M·毛切里;溫森佐·奧格里阿里;弗蘭科·佩雷蒂;馬爾科·普利西;卡爾梅洛·韋基奧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LPE公司
• 主分類號(hào): C23C16/458
• 分類號(hào): C23C16/458;C30B25/12;H01L21/687
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 張瑞;鄭霞

1.一種用于外延生長(zhǎng)的反應(yīng)器的襯托器，由具有第一面和第二面的由石墨制成的圓盤 形主體組成，

其中所述第一面包括適于接收將經(jīng)受外延生長(zhǎng)的基底的至少一個(gè)圓形區(qū)，據(jù)此所述第 一面暴露對(duì)應(yīng)于所述至少一個(gè)區(qū)的第一上表面和圍繞所述至少一個(gè)區(qū)的第二上表面，

其中所述第二面暴露下表面，

其特征在于，所述第二上表面和所述下表面預(yù)先用碳化硅的層來(lái)涂覆。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯托器，其特征在于，僅所述第二上表面和所述下表面用碳化 硅的層來(lái)涂覆。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯托器，由具有第一面和第二面的由石墨制成的圓盤形主 體組成，

其中所述第一面包括適于接收將經(jīng)受外延生長(zhǎng)的基底的至少一個(gè)圓形凹進(jìn)部，據(jù)此所 述第一面暴露對(duì)應(yīng)于所述至少一個(gè)凹進(jìn)部的底部的降低的上表面和圍繞所述至少一個(gè)凹 進(jìn)部的升高的上表面，

其中所述第二面暴露下表面，

其特征在于，所述升高的上表面和所述下表面預(yù)先用碳化硅的層來(lái)涂覆。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯托器，其中所述下表面全部地或僅在環(huán)形區(qū)中或僅在中心 區(qū)中用碳化硅的層來(lái)涂覆。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的襯托器，其中在所述上表面上的所述碳化硅的層的厚度大 于在所述下表面上的所述碳化硅的層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求3或4或5所述的襯托器，其中所述降低的上表面用石墨的層來(lái)涂覆。

7.根據(jù)權(quán)利要求3或4或5所述的襯托器，其中所述降低的上表面用碳化鉭的層來(lái)涂覆。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的襯托器，其中所述降低的上表面是粗糙的或 高低不平的或有凸邊的。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于外延生長(zhǎng)的反應(yīng)器的襯托器，由具有第一面和第二面 的由石墨制成的圓盤形主體組成，

其中所述第一面包括適于接收將經(jīng)受外延生長(zhǎng)的基底的至少一個(gè)圓形凸起，據(jù)此所述 第一面暴露對(duì)應(yīng)于所述至少一個(gè)凸起的頂部的升高的上表面和圍繞所述至少一個(gè)凸起的 降低的上表面，

其中所述第二面暴露下表面，

其特征在于，所述升高的上表面和所述下表面預(yù)先用碳化硅的層來(lái)涂覆。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯托器，其中所述下表面全部地或僅在環(huán)形區(qū)中或僅在中心 區(qū)中用碳化硅的層來(lái)涂覆。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的襯托器，其中在所述上表面上的所述碳化硅的層的厚度 大于在所述下表面上的所述碳化硅的層的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求9或10或11所述的襯托器，其中所述升高的上表面用石墨的層來(lái)涂 覆。

13.根據(jù)權(quán)利要求9或10或11所述的襯托器，其中所述升高的上表面用碳化鉭的層來(lái)涂 覆。

14.根據(jù)前述權(quán)利要求9至13中任一項(xiàng)所述的襯托器，其中所述升高的上表面是粗糙的 或高低不平的或有凸邊的。

15.根據(jù)前述權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的襯托器，包括用于所述基底的至少一個(gè)支 撐元件，并且其中所述至少一個(gè)支撐元件放在所述至少一個(gè)區(qū)上。

16.根據(jù)前述權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的襯托器，包括用于所述基底的至少一個(gè)支 撐元件和用于所述支撐元件的至少一個(gè)框架，其中所述至少一個(gè)框架包括孔，并且其中所 述至少一個(gè)框架放在所述至少一個(gè)區(qū)上，特別地被插入所述至少一個(gè)凹進(jìn)部中或被安裝在 所述至少一個(gè)凸起上，并且所述至少一個(gè)支撐元件被插入所述孔中。

17.用于外延生長(zhǎng)的反應(yīng)器，包括用于支撐和加熱基底的根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng) 的至少一個(gè)襯托器、和熱壁型反應(yīng)室，所述至少一個(gè)襯托器被容納在所述熱壁型反應(yīng)室中， 并且所述熱壁型反應(yīng)室是用于將碳化硅的層沉積在所述基底上的類型，并且優(yōu)選地利用感 應(yīng)加熱。