[發明專利]Fe基納米晶合金的制造方法和Fe基納米晶合金磁心的制造方法有效
| 申請號: | 201480053096.6 | 申請日: | 2014-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN105593382B | 公開(公告)日: | 2017-08-18 |
| 發明(設計)人: | 山本啟喜;森次仲男 | 申請(專利權)人: | 日立金屬株式會社 |
| 主分類號: | C21D6/00 | 分類號: | C21D6/00;H01F1/153;H01F41/02;C22C38/00;C22C45/02 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | fe 納米 合金 制造 方法 | ||
技術區域
本發明涉及Fe基納米晶合金和卷繞或疊層有Fe基納米晶合金的磁心的制造方法。
背景技術
Fe基納米晶合金具備能夠兼具高飽和磁通量密度和高的相對磁導率μ的優異的軟磁特性,因此用于共模扼流線圈、高頻變壓器等的磁心。
作為Fe基納米晶合金的組成系,代表性的有專利文獻1中記載的Fe-Cu-Nb-Si-B系。
對通過將加熱至熔點以上的溫度得到的液相的合金進行急冷凝固,對所得到的非晶質合金進行熱處理,使其微晶化(納米晶化),由此制作Fe基納米晶合金。作為從液相急冷凝固的方法,例如,可以采用生產性優異的單輥法。
根據熱處理時的溫度圖形、熱處理時在特定的方向施加磁場,Fe基納米晶合金的相對磁導率μ和矩形比等的磁性不同。
例如,專利文獻2中提出有:為了得到初始相對磁導率70,000以上、矩形比為30%以下的Fe基納米晶合金,邊在帶的寬度方向(磁心的高度方向)施加磁場、邊進行熱處理的方法。作為專利文獻2中的熱處理的具體例,有各式各樣的模式,大體上有:在熱處理的最高到達溫度區域,邊施加磁場、邊保持的模式;從升溫過程經最高到達溫度區域跨到冷卻過程,邊施加磁場、邊保持的模式;從最高到達溫度區域跨到冷卻過程,邊施加磁場、邊保持的模式。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特公平4-4393號公報
專利文獻2:日本特開平7-278764號公報
發明內容
發明所要解決的課題
可以認為上述的專利文獻2所公開的熱處理方法作為降低矩形比的方法是有效的。
然而,近年來,作為共模扼流圈等使用的頻帶成為100kHz附近的高頻帶,對于這樣的高頻帶,磁性部品的小型化的要求變高。即,要求在高頻區具有高的相對磁導率μ的納米晶合金。
本發明的發明人為了在頻率100kHz附近的高頻中獲得高的相對磁導率μ,進行了各種研究。其結果,認知到:以專利文獻1和專利文獻2所記載的熱處理模式,有時難以得到高頻區域中的高的相對磁導率μ。
本發明是借鑒于上述內容而作出的,其目的在于提供一種能夠在頻率100kHz附近容易地獲得高的相對磁導率μ的Fe基納米晶合金的制造方法和Fe基納米晶合金磁心的制造方法。
用于解決課題的方法
本發明的發明人發現,通過熱處理對Fe基非晶質合金進行微晶化(納米晶化)時,通過在其升溫期間的特定溫度區域中施加磁場,能夠得到例如頻率100kHz的高頻帶中的高的相對磁導率μ。
<1>Fe基納米晶合金的制造方法
根據本發明的實施方式的Fe基納米晶合金的制造方法,包括將可納米晶化的Fe基非晶質合金帶加熱至晶化溫度區域并進行冷卻的熱處理工序,在上述熱處理工序中,在包括從比用差示掃描量熱計測得的晶化開始溫度低50℃的溫度到比晶化開始溫度高20℃的溫度為止的溫度范圍中的至少一部分、并且不超過比上述晶化開始溫度高50℃的溫度的升溫期間中的溫度范圍中,即,在上述的升溫期間中的溫度范圍中,選擇性地在上述合金帶的寬度方向施加磁場。
在某一實施方式中,在上述合金帶的寬度方向施加磁場強度為50kA/m以上、300kA/m以下的磁場。
在某一實施方式中,在上述熱處理工序中的最高到達溫度時,不施加上述磁場。
另外,在某一實施方式中,Fe基納米晶合金帶的制造方法包括:準備可納米晶化的Fe基非晶質合金帶的工序;將上述Fe基非晶質合金帶加熱至晶化溫度區域并進行冷卻的熱處理工序;和在上述熱處理工序中,對上述Fe基非晶質合金帶施加磁場的工序,上述施加磁場的工序中,可以在上述熱處理工序的升溫期間,在從比差示掃描量熱計所顯示的晶化開始溫度低50℃的溫度到比晶化開始溫度高20℃的溫度為止的溫度范圍內的至少一部分的期間,沿著上述合金帶的寬度方向施加規定的強度(例如,50kA/m)以上的磁場,并且在上述升溫期間中的一部分的期間,不施加上述規定的強度以上的磁場。典型而言,在超過比上述晶化開始溫度高50℃的溫度的升溫期間,不施加上述規定的強度以上的磁場。另外,在低于上述比晶化開始溫度低50℃的溫度的升溫期間,也可以不施加上述規定的強度以上的磁場。
<2>Fe基納米晶合金磁心的制造方法
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