[發明專利]紅外線放射裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201480052937.1
• 申請日: 2014-09-19
• 公開（公告）號: CN105579832A
• 公開（公告）日: 2016-05-11
• 發明（設計）人: 松浪弘貴;渡部祥文;辻幸司;永谷吉祥
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: G01N21/01
• 分類號: G01N21/01;G01N21/3504;H05B3/10;H05B3/46
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉興鵬

1.一種紅外線放射裝置，包括：

形成有腔室的基板；

電絕緣并且設置在所述基板的表面上的絕緣層，所述絕緣層的在所述絕緣層的表面的 相反側上的背面的一部分由所述腔室暴露；

設置在所述絕緣層的表面一側上的發熱層；

電極；

存在于所述腔室的在所述基板的所述表面上的開口邊緣的垂直投影區域的內側和外 側兩者上的基底部，所述垂直投影區域的投影方向沿著所述絕緣層的厚度方向；和

設置在所述基底部的表面上的電導體，其中，

所述發熱層的端部設置成覆蓋所述電導體的覆蓋部，

所述電極接觸所述覆蓋部的在所述垂直投影區域的外側的表面，以及

所述電導體由熔點比所述電極高的導電材料形成并且具有的電阻比所述基底部和所 述發熱層的電阻小。

2.根據權利要求1所述的紅外線放射裝置，其特征在于：所述發熱層由與所述基底部的 材料相同的材料形成。

3.根據權利要求2所述的紅外線放射裝置，其特征在于：

所述發熱層由氮化鉭制成，

所述基底部由氮化鉭制成，

所述電導體由鉭制成，以及

所述電極由鋁制成。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的紅外線放射裝置，其特征在于，進一步包括：位于 所述絕緣層和所述發熱層之間并且穩定所述發熱層的形狀的形狀穩定層。

5.根據權利要求4所述的紅外線放射裝置，其特征在于：

所述絕緣層的熱膨脹系數小于所述基板的熱膨脹系數，以及

所述形狀穩定層的熱膨脹系數大于所述基板的熱膨脹系數。

6.根據權利要求5所述的紅外線放射裝置，其特征在于：

所述形狀穩定層由氮化硅制成，以及

所述絕緣層由氧化硅制成。

7.根據權利要求4至6中任一項所述的紅外線放射裝置，其特征在于：所述發熱層的厚 度小于所述形狀穩定層的厚度。

8.根據權利要求4至7中任一項所述的紅外線放射裝置，其特征在于，進一步包括：覆蓋 所述發熱層和所述形狀穩定層的保護層，其中

所述基板由導熱性比所述絕緣層高的材料形成，

所述電極包括在所述發熱層的外側且遠離所述發熱層的支撐部、和將所述支撐部和所 述覆蓋部連接在一起的連接部，以及

所述電極配置成使得所述連接部通過所述保護層中形成的第一孔與所述覆蓋部電連 接，并且使得通過所述保護層中形成的第二孔在所述形狀穩定層的表面上形成所述支撐 部。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的紅外線放射裝置，其特征在于：所述腔室為通孔， 所述通孔在所述基板的厚度方向上在所述基板中貫穿。

10.根據權利要求1至8中任一項所述的紅外線放射裝置，其特征在于：所述腔室為形成 在所述基板的所述表面一側中的孔。

11.一種根據權利要求4所述的紅外線放射裝置的制造方法，包括：

在所述基板的所述表面側上形成所述絕緣層；

在所述絕緣層的所述表面上形成所述形狀穩定層；

在所述形狀穩定層的表面上形成將成形為所述基底部的第一氮化鉭層；

在所述第一氮化鉭層上形成將成形為所述電導體的鉭層；

通過將所述第一氮化鉭層和所述鉭層的疊層膜圖案化形成所述基底部和所述電導體；

在所述形狀穩定層的所述表面一側上形成將成形為所述發熱層的第二氮化鉭層；

通過將所述第二氮化鉭層圖案化形成所述發熱層；

形成所述電極；和

形成所述腔室。