[發明專利]聚合物膜的化學機械平坦化

有效

• 申請號: 201480052757.3
• 申請日: 2014-09-23
• 公開（公告）號: CN105579196B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: S.帕利卡拉庫蒂亞圖爾;賈仁合;J.戴薩德
• 申請（專利權）人: 嘉柏微電子材料股份公司
• 主分類號: B24D3/06
• 分類號: B24D3/06;C09K3/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 宋莉

1.化學機械拋光組合物，包含：

(a)研磨劑顆粒，其包含氧化鈰，

(b)金屬離子，其為路易斯酸，

(c)配體，其為芳族羧酸、芳族磺酸、芳族酸酰胺、氨基酸、或經羥基取代的N-雜環，以及

(d)水性載體，

其中該化學機械拋光組合物的pH在2至3.5的范圍內，金屬離子與配體的摩爾濃度比在1:2與1:0.5之間。

2.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中該研磨劑顆粒由氧化鈰組成，且該化學機械拋光組合物不包含其它研磨劑顆粒。

3.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中該金屬離子為Fe³⁺、Al³⁺、Cu²⁺、Zn²⁺、或其組合。

4.權利要求3的化學機械拋光組合物，其中該金屬離子為Fe³⁺。

5.權利要求3的化學機械拋光組合物，其中該金屬離子為Al³⁺。

6.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中該配體為吡啶羧酸、異煙酸、煙酸、吡啶二羧酸、吡啶磺酸、對-甲苯磺酸、水楊酰胺、氨基苯磺酸、甲基甘氨酸、苯基甘氨酸、二甲基甘氨酸、氨基苯甲酸、2-哌啶酸、脯氨酸、2-羥基吡啶、8-羥基喹啉、2-羥基喹啉、或其組合。

7.權利要求6的化學機械拋光組合物，其中該配體為吡啶羧酸。

8.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中該化學機械拋光組合物不含過氧型氧化劑。

9.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中該化學機械拋光組合物包含總濃度為0.01重量％至1重量％的研磨劑顆粒。

10.權利要求9的化學機械拋光組合物，其中該化學機械拋光組合物包含總濃度為0.01重量％至0.05重量％的研磨劑顆粒。

11.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中該化學機械拋光組合物包含總濃度為0.05mM至50mM的一種或多種金屬離子。

12.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中該化學機械拋光組合物包含總濃度為0.1mM至100mM的一種或多種配體。

13.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中該配體為芳族羧酸、芳族磺酸、芳族酸酰胺、或經羥基取代的N-雜環，且其中該化學機械拋光組合物的pH在2至3的范圍內。

14.權利要求1的化學機械拋光組合物，其中該配體為氨基酸，且其中該化學機械拋光組合物的pH在3至3.5的范圍內。

15.拋光基材的方法，包括：

(i)提供基材；

(ii)提供拋光墊；

(iii)提供權利要求1的化學機械拋光組合物；

(iv)使該基材與該拋光墊及該化學機械拋光組合物接觸；以及

(v)相對于該基材，移動該拋光墊和該化學機械拋光組合物，從而磨除該基材的至少一部分以拋光該基材。

16.拋光基材的方法，包括：

(i)提供基材，其中該基材包含聚合物膜；

(ii)提供拋光墊；

(iii)提供化學機械拋光組合物，包含：

(a)研磨劑顆粒，其包含氧化鈰，

(b)金屬離子，其為路易斯酸，

(c)配體，其為芳族羧酸、芳族磺酸、芳族酸酰胺、氨基酸、或經羥基取代的N-雜環，以及

(d)水性載體，

其中該化學機械拋光組合物的pH在1至4的范圍內，金屬離子與配體的摩爾濃度比在1:2與1:0.5之間；

(iv)使該基材與該拋光墊及該化學機械拋光組合物接觸；以及

(v)相對于該基材，移動該拋光墊和該化學機械拋光組合物，從而磨除該基材的表面上的該聚合物膜的至少一部分以拋光該基材。

17.權利要求16的方法，其中該研磨劑顆粒由氧化鈰組成，且該化學機械拋光組合物不包含其它研磨劑顆粒。

18.權利要求16的方法，其中該金屬離子為Fe³⁺、Al³⁺、Cu²⁺、Zn²⁺、或其組合。