[發(fā)明專利]嵌入有無(wú)源組件的加勁襯在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480052414.7 | 申請(qǐng)日： | 2014-09-26 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN105580132A | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-05-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | D·W·金;K-P·黃;Y·K·宋;C·H·尹 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/16 | 分類號(hào)： | H01L23/16;H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 嵌入 無(wú)源 組件 加勁 | ||
1.一種形成用于半導(dǎo)體封裝的加勁襯的方法，所述方法包括：
在加勁襯中形成凹槽；
在所述凹槽內(nèi)嵌入無(wú)源組件；以及
將具有所述嵌入的無(wú)源組件的所述加勁襯附連至基板的第一表面。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括，在所述凹槽的第 二表面上形成鈍化層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述無(wú)源組件是高密度電容器。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加勁襯使用各向異性導(dǎo)電 膜(ACF)或各向異性導(dǎo)電糊劑(ACP)附連至所述基板的所述第一表面。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加勁襯由鋁或銅制成，并 且所述凹槽通過(guò)沖壓工藝形成。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加勁襯由陶瓷制成，并且 所述凹槽通過(guò)燒結(jié)工藝形成。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加勁襯的在所述凹槽之外 的主體部分、和所述凹槽由連續(xù)材料形成。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括，在所述基板的所 述第一表面上形成半導(dǎo)體管芯，其中所述加勁襯被成形為所述基板的所述第一表面 上的半導(dǎo)體管芯周圍的外環(huán)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括，在所述無(wú)源組件 中形成導(dǎo)線以及將所述導(dǎo)線連接至從所述基板導(dǎo)出的電力線和接地連接。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括，在將具有所述嵌 入的無(wú)源組件的所述加勁襯附連至所述基板的所述第一表面之前，確定所述無(wú)源組 件在所述凹槽內(nèi)的放置以及設(shè)計(jì)配電網(wǎng)(PDN)。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加勁襯被配置成保護(hù)所述 封裝不翹曲。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述加勁襯的水平區(qū)域被包含 在所述基板的所述第一表面的水平邊界內(nèi)。
13.一種半導(dǎo)體封裝，包括：
基板；
加勁襯，其附連至所述基板的第一表面，其中所述加勁襯包括凹槽；以及
無(wú)源組件，其被嵌入在所述凹槽內(nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括，在所述 凹槽的第二表面上的鈍化層。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述無(wú)源組件是高密 度電容器。
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述加勁襯使用各向 異性導(dǎo)電膜(ACF)或各向異性導(dǎo)電糊劑(ACP)附連至所述基板的所述第一表面。
17.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述加勁襯由鋁或銅 制成，并且所述凹槽通過(guò)沖壓工藝形成。
18.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述加勁襯由陶瓷制 成，并且所述凹槽通過(guò)燒結(jié)工藝形成。
19.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述加勁襯的在所述 凹槽之外的主體部分、和所述凹槽由連續(xù)材料形成。
20.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述基 板的所述第一表面上形成的半導(dǎo)體管芯，其中所述加勁襯被成形為所述基板的所述 第一表面上的所述半導(dǎo)體管芯周圍的外環(huán)。
21.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括耦合至所述 無(wú)源組件的導(dǎo)線，其中所述導(dǎo)線連接至從所述基板導(dǎo)出的電力線和接地連接。
22.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述加勁襯被配置成 保護(hù)所述封裝不翹曲。
23.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述加勁襯的水平區(qū) 域被包含在所述基板的所述第一表面的水平邊界內(nèi)。
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