[發(fā)明專利]用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480052356.8 | 申請日: | 2014-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN105579615B | 公開(公告)日: | 2020-07-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | E·斯坦豪瑟;S·威斯;L·J·格雷戈瑞德斯;J·席曼;L·施坦普 | 申請(專利權(quán))人: | 德國艾托特克公司 |
| 主分類號: | C23C18/24 | 分類號: | C23C18/24;C23C18/54;H05K3/00;C23G1/10 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 林斯凱 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用以 材料 凹陷 結(jié)構(gòu) 去除 處理 方法 | ||
1.一種用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,所述方法依序包括以下步驟
(i)提供包括至少一個凹陷結(jié)構(gòu)的介電材料,所述至少一個凹陷結(jié)構(gòu)含有在制造所述凹陷結(jié)構(gòu)期間所形成的所述介電材料的殘余物,以及
(ii)使所述介電材料接觸水溶液,所述水溶液包括60wt%到80wt%硫酸和0.04mol/l到0.66mol/l過氧二硫酸根離子,且由此從所述介電材料去除介電材料的所述殘余物,
其中所述水溶液進(jìn)一步包括選自由醇類、分子醚以及聚醚組成的群組的至少一種穩(wěn)定劑添加物,
其中在步驟(ii)中的所述水溶液不含過錳酸根離子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中所述介電材料包括選自由以下各物組成的群組的熱塑性聚合物:環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、氰酸酯、聚酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯-聚碳酸酯復(fù)合物、聚酰胺和聚環(huán)烯烴。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中所述介電材料包括銅結(jié)構(gòu)和/或一或多個銅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中步驟(ii)中所應(yīng)用的所述水溶液中的硫酸的濃度在65wt%到75wt%范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中步驟(ii)中所應(yīng)用的所述水溶液中的過氧二硫酸根離子的濃度在0.12mol/l到0.44mol/l范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中所述穩(wěn)定劑添加物選自由以下各物組成的群組:甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、叔丁醇、1-戊醇、2-戊醇、乙二醇、丙二醇、丁二醇、丙三醇以及聚乙烯醇。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中所述穩(wěn)定劑添加物選自由以下各物組成的群組:乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、三乙二醇單丙醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚、三丙二醇單丙醚、三丙二醇單丁醚以及二乙二醇單異丙醚。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中所述穩(wěn)定劑添加物選自由以下各物組成的群組:聚乙二醇、聚丙二醇、聚(乙二醇-無規(guī)-丙二醇)、聚(乙二醇)-嵌段-聚(丙二醇)-嵌段-聚(乙二醇)以及聚(丙二醇)-嵌段-聚(乙二醇)-嵌段-聚(丙二醇)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中所述穩(wěn)定劑添加物的濃度在0.5mmol/l到300mmol/l范圍內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中在步驟(ii)期間將所述水溶液的溫度保持在10℃到80℃范圍內(nèi)的溫度下。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中在步驟(ii)中使所述介電材料與所述水溶液接觸1分鐘到60分鐘。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中在步驟(ii)之前使所述介電材料與包括有機(jī)溶劑的水溶液接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用以從介電材料中凹陷結(jié)構(gòu)去除孔污的處理方法,其中在步驟(ii)之后用包括堿性物質(zhì)的水沖洗所述介電材料。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
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