[發明專利]包含錨定式薄分子層的電子或光電子器件，其制備方法和在其中使用的化合物

有效

• 申請號: 201480052052.1
• 申請日: 2014-08-19
• 公開（公告）號: CN105659403B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 西爾維婭·尼希;簡·布洛赫維茨-尼莫斯;比約恩·呂塞姆;卡爾·萊奧;阿克塞爾·菲舍爾
• 申請（專利權）人: 諾瓦爾德股份有限公司
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10;H01L51/50
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊青;緱正煜

1.電子或光電子器件，其包含至少部分被有機層覆蓋的至少一個無機表面，其中所述有機層包含下述化合物，所述化合物包含

i)將所述化合物錨定于所述無機表面的至少一個錨定基團，

ii)至少一個官能部分，其包含

a)在芳族環中含有至少一個氮原子的芳族雜環或

b)被至少一個仲胺或叔胺基團取代的芳族或雜芳族環，

iii)至少一個亞甲基基團，

其中

通過單鍵與包含在所述官能部分的芳族環中的氮原子或結合于所述官能部分的芳族環的氮原子直接連接的亞甲基基團是被取代的；并且其中

所述亞甲基基團上的取代基是吸電子基團或另一個官能部分，所述另一個官能部分包含至少一個錨定基團和

a)在芳族環中含有至少一個氮原子的芳族雜環或

b)被至少一個仲胺或叔胺基團取代的芳族或雜芳族環，并且

其中所述另一個官能部分通過單鍵連接，所述單鍵是所述亞甲基基團與包含在該官能部分中包含的芳族環中的氮原子或結合于該官能部分中包含的芳族環的氮原子之間的單鍵；

其中所述吸電子基團是氰基基團；

其中所述亞甲基基團與另一個共軛π電子體系的至少一個π鍵共軛。

2.根據權利要求1所述的器件，其中所述無機表面是金屬表面并且所述錨定基團包含選自具有氧化度(-II)、(-I)或0的S、Se、Te的至少一個硫族原子。

3.根據權利要求2所述的器件，其中所述金屬表面包含選自周期表的8、9、10或11族的至少一種金屬。

4.根據權利要求2或3所述的器件，其中所述金屬表面包含選自Cu、Ag、Au、Pd或Pt的金屬作為主要組分。

5.根據權利要求1-3任一項所述的器件，其中所述錨定基團選自–SH和–S_x-，其中x是選自1、2、3、4和5的整數。

6.根據權利要求1-3任一項所述的器件，其中所述錨定基團與所述官能部分的含氮芳族環或與胺取代芳族或雜芳族環直接連接。

7.根據權利要求1-3任一項所述的器件，其中所述官能部分是五元含氮芳族環。

8.根據權利要求1-3任一項所述的器件，其中所述官能部分選自唑、二唑、三唑和四唑。

9.根據權利要求1-3任一項所述的器件，其中所述官能部分被至少一個吸電子基團取代。

10.根據權利要求9所述的器件，其中所述吸電子基團獨立地選自-F、-Cl、-CN、鹵代烷基、鹵代芳基、鹵代雜芳基。

11.根據權利要求1-3任一項所述的器件，其中所述另一個共軛π電子體系被至少一個吸電子基團取代和/或本身是吸電子的。

12.根據權利要求1-3任一項所述的器件，其中所述另一個共軛π電子體系是醌型、吐昔醌或軸烯π電子體系。