[發(fā)明專利]二氧化鈦顆粒及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480051998.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-09-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105555713B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K·勞里;J·L·愛(ài)德華茲;D·J·沃特斯;J·羅布 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 亨斯邁P&A英國(guó)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C01G23/047 | 分類號(hào): | C01G23/047;C01G23/053;C01G23/08 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 李躍龍 |
| 地址: | 英國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 英國(guó);GB |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化 顆粒 及其 制造 方法 | ||
1.用于制造具有所需形貌的二氧化鈦顆粒的方法,所述方法包括:
提供二氧化鈦溶膠;
并隨后
干燥所述溶膠以提供干燥的二氧化鈦顆粒;
其特征在于:
(a)通過(guò)施加以下條件來(lái)控制干燥的二氧化鈦顆粒的孔隙尺寸:
由使用硫酸鹽法中的沉淀步驟獲得的含TiO2漿料制造所述二氧化鈦溶膠,其中控制沉淀過(guò)程中形成的膠束的尺寸在20-150nm的范圍內(nèi),其中通過(guò)使用(i)具有6-8重量%成核水平的Mecklenburg沉淀;或(ii)具有50:50-75:25的下降比的Blumenfeld沉淀控制在沉淀過(guò)程中形成的膠束的尺寸,任選地
(b)通過(guò)施加以下條件來(lái)控制干燥的二氧化鈦顆粒的形狀:
通過(guò)施加熱來(lái)干燥所述二氧化鈦溶膠,并控制干燥步驟過(guò)程中采用的溫度,其中使用噴霧干燥,且控制在噴霧干燥步驟過(guò)程中采用的溫度在50-350℃的范圍內(nèi)。
2.權(quán)利要求1的方法,其中在制造所述二氧化鈦顆粒的過(guò)程中并入一種或多種活性催化組分,其選自釕、銠、鈀、銥、鉑、鋨、鐵、鈷、鎳、銅、銀、釩、鎢、鉻和鉬以及其組合。
3.權(quán)利要求1的方法,其中在制造所述二氧化鈦顆粒的過(guò)程中并入一種或多種熱穩(wěn)定劑組分,其選自氧化硅、二氧化鈰和氧化鑭。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中使用噴霧干燥,且通過(guò)以下方式進(jìn)一步控制干燥的二氧化鈦顆粒的形貌:
(i)由含TiO2漿料制造所述二氧化鈦溶膠,并通過(guò)添加膠溶劑將所述漿料的pH控制為距離所述二氧化鈦的等電點(diǎn)3個(gè)pH單位或更多,以便降低所述二氧化鈦溶膠絮凝的程度;或
(ii)由含TiO2漿料制造所述二氧化鈦溶膠,并通過(guò)添加分散劑將等電點(diǎn)調(diào)節(jié)至距離所述漿料的pH 3個(gè)pH單位或更多,以便降低所述二氧化鈦溶膠絮凝的程度。
5.權(quán)利要求4的方法,其中在選項(xiàng)(i)中,通過(guò)添加膠溶劑將所述漿料的pH控制為1至3,以便降低所述二氧化鈦溶膠絮凝的程度。
6.權(quán)利要求4或權(quán)利要求5的方法,其中在選項(xiàng)(i)中,通過(guò)添加一元酸作為膠溶劑來(lái)控制所述漿料的pH。
7.權(quán)利要求4的方法,其中在選項(xiàng)(ii)中,通過(guò)添加分散劑將所述二氧化鈦的等電點(diǎn)調(diào)節(jié)至距離所述漿料的pH值4個(gè)pH單位或更多,以便降低所述二氧化鈦溶膠絮凝的程度。
8.權(quán)利要求4或權(quán)利要求7的方法,其中在選項(xiàng)(ii)中,通過(guò)添加α-羥基羧酸來(lái)調(diào)節(jié)所述二氧化鈦的等電點(diǎn)。
9.權(quán)利要求5的方法,其中通過(guò)添加膠溶劑將所述漿料的pH控制為1至1.5,以便降低所述二氧化鈦溶膠絮凝的程度。
10.權(quán)利要求6的方法,其中所述一元酸是鹽酸。
11.權(quán)利要求7的方法,其中將所述二氧化鈦的等電點(diǎn)調(diào)節(jié)至4至6個(gè)pH單位。
12.權(quán)利要求8的方法,其中所述α-羥基羧酸為檸檬酸。
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