[發明專利]光電子發光組件和導體框復合件

有效

• 申請號: 201480051945.4
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN105580149B
• 公開（公告）日: 2018-07-13
• 發明（設計）人: 弗蘭克·默爾梅爾;馬庫斯·阿爾茨貝格爾;邁克爾·施溫德;托馬斯·霍費爾;梅爾廷·豪沙爾特;馬里奧·溫加滕;蒂爾曼·埃克特
• 申請（專利權）人: 歐司朗光電半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/60;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/64
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;周濤

本發明涉及一種具有設置用于產生輻射的半導體芯片(2)和殼體(3)的光電子半導體器件(1)，在所述殼體中設置有半導體芯片，其中?殼體具有帶有第一連接導體(51)和第二連接導體(52)的導體框(5)；?殼體具有局部包圍導體框的殼體本體(4)，其中殼體本體沿豎直方向在安裝側(42)和前側(41)之間延伸；?第一連接導體具有凹處(6)，在所述凹處中半導體芯片固定在第一連接導體上；?凹處的側面(60)形成用于在運行中由半導體芯片放射的輻射的反射器；?第一連接導體在安裝側上從殼體本體中伸出；和?半導體芯片至少局部地沒有鄰接于半導體芯片的封裝材料。此外，提出一種用于制造導體框復合件的方法。

技術領域

本申請涉及一種光電子半導體器件以及一種用于制造導體框復合件的方法，所述導體框復合件尤其設置用于制造光電子半導體器件。

背景技術

隨著對于半導體器件如發光二極管的光學功率的要求增加，也提高了對于導出所形成的損失熱量的要求。此外，半導體器件應盡可能成本適宜地借助標準方法例如回流焊來安裝。此外，通常需要其中輻射以盡可能小的立體角放射的結構形式。

發明內容

一個目的是：提出一種半導體器件，所述半導體器件的特征在于良好的光電子特性和同時良好的散熱。此外，要提出一種方法，借助所述方法簡化光電子半導體器件的制造。

此外，所述目的通過根據本發明的實施例的一種光電子半導體器件或一種方法實現。其他的設計方案和合理方案是根據本發明的實施例的主題。

根據光電子半導體芯片的至少一個實施方式，半導體器件具有設置用于產生輻射的半導體芯片。半導體芯片尤其構成為高功率半導體芯片、尤其構成為高功率冷光二極管(Lumineszenzdiode)。將高功率半導體芯片理解為特征在于至少0.5瓦特的電功率消耗的半導體芯片。

半導體芯片尤其具有設置用于產生輻射的有源區域。半導體芯片、尤其有源區域例如具有III-V族化合物半導體材料。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，半導體器件具有殼體。尤其，半導體芯片設置在殼體中。殼體尤其具有帶有第一連接導體和第二連接導體的導體框。第一連接導體和第二連接導體設置用于外部電接觸光電子半導體器件。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，殼體具有殼體本體。殼體本體尤其至少局部地包圍導體框。例如，殼體本體在豎直方向上在安裝側和前側之間延伸。殼體本體例如構成為塑料成型體。尤其，殼體本體對于要在光電子半導體器件中產生的輻射構成為是不透射輻射的。例如，第一連接導體和第二連接導體在相對置的側上從殼體本體中伸出。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，導體框、尤其第一連接導體具有凹處，在所述凹處中半導體芯片固定在導體框上、尤其固定在第一連接導體上。例如，半導體芯片借助于粘接連接固定導體框上。

根據光電子半導體器件的至少一個實施方式，凹處的側面形成用于在運行中由半導體芯片放射的輻射的反射器。凹處尤其構成為使得將射到側面上的輻射朝光電子半導體器件的主放射軸線偏轉。換言之，射到側面上的輻射在側面上偏轉之后與在偏轉之前相比以相對于主放射軸線更小的角度行進。

根據光電子半導體芯片的至少一個實施方式，第一連接導體在安裝側上從殼體本體中伸出。在安裝光電子半導體元件時，在半導體芯片中產生的損失熱量直接地經由第一連接導體導出到連接導體中，例如電路板中。損失熱量因此不必橫越典型地具有相對低導熱性的殼體本體。

根據光電子半導體芯片的至少一個實施方式，半導體芯片至少局部地、尤其在背離安裝側的輻射出射面上沒有鄰接于半導體芯片的封裝材料。尤其，沒有也覆蓋半導體芯片的側面的材料鄰接于輻射出射面。然而，在輻射出射面上例如可以設有輻射轉換元件，所述輻射轉換元件將由半導體芯片產生的具有第一峰值波長的初級輻射完全地或部分地轉換成具有第二峰值波長的次級輻射。