[發(fā)明專利]碳化硅單晶晶片的內(nèi)應(yīng)力評(píng)價(jià)方法和碳化硅單晶晶片的翹曲預(yù)測方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480051759.0
• 申請(qǐng)日: 2014-05-30
• 公開（公告）號(hào): CN105556649B
• 公開（公告）日: 2018-03-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小島清;中林正史;下村光太;永畑幸雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 新日鐵住金高新材料株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;C30B23/06;C30B29/36
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所11247
• 代理人: 劉航,段承恩

1.一種碳化硅單晶晶片的內(nèi)應(yīng)力評(píng)價(jià)方法，使用在碳化硅單晶晶片的主面內(nèi)的兩點(diǎn)測定到的拉曼位移值的差量來進(jìn)行評(píng)價(jià)，所述碳化硅單晶晶片是從采用升華再結(jié)晶法制造的碳化硅單晶錠切取的，

使用在中心測定到的拉曼位移值(A)與在外周部測定到的拉曼位移值(B)的拉曼位移差(A-B)來進(jìn)行評(píng)價(jià)。

2.一種碳化硅單晶晶片的翹曲預(yù)測方法，是事前預(yù)測采用升華再結(jié)晶法制造的碳化硅單晶晶片的翹曲的方法，使用在制備碳化硅單晶晶片時(shí)的最終研磨之前測定到的、表面和背面中的任一面內(nèi)的兩點(diǎn)的拉曼位移值的差量，來估算研磨工序完成后的晶片的翹曲，

使用在中心測定到的拉曼位移值(A)與在外周部測定到的拉曼位移值(B)的拉曼位移差(A-B)來進(jìn)行預(yù)測。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅單晶晶片的翹曲預(yù)測方法，使用在單晶薄板的表面和背面中的任一面內(nèi)的兩點(diǎn)測定到的拉曼位移值的差量來進(jìn)行預(yù)測，所述單晶薄板是將采用升華再結(jié)晶法得到的碳化硅單晶錠進(jìn)行切片分割而得到的。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的碳化硅單晶晶片的翹曲預(yù)測方法，預(yù)先求出拉曼位移值的差量與碳化硅單晶晶片的翹曲的關(guān)系，以所得到的關(guān)系式為基礎(chǔ)，由拉曼位移值的差量預(yù)測碳化硅單晶晶片的翹曲。