[發明專利]用于具有共源極線的存儲單元的系統、方法和裝置

有效

• 申請號: 201480051457.3
• 申請日: 2014-11-06
• 公開（公告）號: CN105556609B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 禹小軍;范卡特拉曼·普拉哈卡;伊葛·G·葛茲尼索夫;龍·T·辛赫;波·金
• 申請（專利權）人: 經度快閃存儲解決方案有限責任公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/04
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

用于實現具有共源極線的存儲單元的系統、方法和裝置被公開。方法包括在第一晶體管接收第一電壓。第一晶體管可以被耦合到第二晶體管和被包括在第一存儲單元中。方法包括在第三晶體管接收第二電壓。第三晶體管可以被耦合到第四晶體管和被包括在第二存儲單元中。第一和第二存儲單元可以被耦合到共源極線。方法包括在第二晶體管的柵極和第四晶體管的柵極接收可以使它們操作于截止模式的第三電壓。方法可以包括在第一晶體管的柵極接收第四電壓。第四電壓通過Fowler?Nordheim隧穿可以引起在包括在第一晶體管中的電荷存儲層中的變化。

相關申請的交叉引用

本申請要求遞交于2014年6月26日、申請號為14/316,615的美國專利申請的權益，并且還根據35 U.S.C.§ 119(e)要求遞交于2013年12月2日、申請號為61/910,764的美國臨時專利申請的權益，兩個申請均通過引用以其整體被并入本文用于所有目的。

技術領域

本公開大體涉及存儲單元，并且更具體地，涉及具有共源極線的存儲單元。

背景

非易失性存儲設備當前廣泛應用在當電力不可用或被終止時要求信息保存的電子組件中。非易失性存儲設備可以包括只讀存儲器(ROM)、可編程只讀存儲器(PROM)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)和電可擦除可編程只讀存儲(EEPROM)設備。如今一些存儲器陣列利用可以包括存儲元件或電荷存儲層的晶體管和柵極結構。電荷存儲層可以被編程為基于施加于存儲器陣列或被存儲器陣列接收的電壓來儲存數據。

附圖簡述

圖1圖示了根據一些實施例實現的存儲設備的例子的示意圖。

圖2圖示了根據一些實施例實現的存儲設備的另一個例子的示意圖。

圖3圖示了根據一些實施例實現的存儲單元的布局的例子。

圖4圖示了根據一些實施例實現的若干存儲單元的布局的例子。

圖5圖示了根據一些實施例實現的存儲單元的布局的截面的例子。

圖6圖示了根據一些實施例實現的存儲單元的布局的另一個例子。

圖7圖示了根據一些實施例實現的編程方法的例子的流程圖。

圖8圖示了根據一些實施例實現的擦除方法的例子的流程圖。

圖9圖示了根據一些實施例實現的讀取方法的例子的流程圖。

圖10圖示了根據一些實施例實現的包括存儲設備的處理系統的框圖。

詳細描述

在之后的描述中，為了提供對所呈現的概念的透徹理解而闡述了許多具體細節。所呈現的概念可以被實踐，而無需一些或全部這些具體細節。在其他情況中，眾所周知的過程操作沒有被詳細描述以免不必要地模糊描述的概念。雖然一些概念將結合具體例子進行描述，但要理解這些例子不是認定為限制性的。

存儲器陣列可以利用可包括存儲元件或電荷存儲層的晶體管和柵極結構被實現。電荷存儲層可以被編程為基于施加于存儲器陣列或被存儲器陣列接收的電壓來儲存數據。以此方式，存儲器陣列可以包括按行和列布置的各種不同的存儲單元，并且每一個可以能夠儲存至少一個數據值。電壓可以被施加于每一個存儲單元以對它們進行編程、擦除它們或讀取它們儲存的一個或多個數據值。