[發明專利]表面增強拉曼光譜的基底及其制備方法

有效

• 申請號: 201480051274.1
• 申請日: 2014-09-16
• 公開（公告）號: CN105556290B
• 公開（公告）日: 2019-05-07
• 發明（設計）人: 徐寧德;尹政欽;樸圣奎;李惠媚;李建煥;金東好
• 申請（專利權）人: 韓國機械研究院;韓國化學研究院
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65;G01J3/44
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 嚴政;劉兵

1.一種表面增強拉曼光譜的基底，該基底包括：

聚合物基底，該聚合物基底的具有上突起曲面的突起結構在第一表面上相間隔地形成；

形成于所述突起結構上的含金屬納米粒子；以及

形成于部分或全部的、未形成有所述突起結構的聚合物基底的第一表面上的含金屬薄層；

其中，所述含金屬納米粒子和所述含金屬薄層是同時地在所述第一表面上通過氣相沉積含金屬拉曼活性材料形成的，以及

其中，所述含金屬拉曼活性材料先在所述第一表面和突起結構上均勻地沉積，但隨著所述沉積的進行，所述含金屬拉曼活性材料集中地沉積在所述突起結構上；

所述突起結構是通過干法蝕刻所述聚合物基底的表面形成的。

2.根據權利要求1所述的基底，其中，所述突起結構之間相等地間隔。

3.根據權利要求2所述的基底，其中，所述突起結構以10-500nm的間距相間隔。

4.根據權利要求1所述的基底，其中，所述氣相沉積通過濺射、蒸發或化學氣相沉積實施。

5.根據權利要求1所述的基底，其中，所述突起結構上的含金屬納米粒子形成為球形或橢圓形。

6.根據權利要求1所述的基底，其中，所述含金屬納米粒子的平均粒度為5nm-1μm。

7.根據權利要求6所述的基底，其中，所述含金屬納米粒子的平均粒度為10nm-300nm。

8.根據權利要求1所述的基底，其中，在所述聚合物基底上垂直形成的含金屬納米粒子的水平最大寬度W1等于或大于在所述聚合物基底上垂直形成的突起結構的水平最大寬度W2，并且小于所述突起結構的中心之間的最短距離W3。

9.根據權利要求1所述的基底，其中，所述含金屬納米粒子之間的空間間距是通過控制所述突起結構之間的距離和所述突起結構上形成的含金屬納米粒子的尺寸來控制的。

10.根據權利要求1所述的基底，其中，所述含金屬納米粒子與相鄰的含金屬納米粒子或與相鄰的含金屬薄層形成有納米間隙或者與二者都形成有納米間隙，形成的納米間隙為1-10nm。

11.根據權利要求1所述的基底，其中，所述含金屬納米粒子為金屬、金屬氧化物或金屬氮化物。

12.根據權利要求1所述的基底，其中，所述含金屬納米粒子中的金屬選自由Au、Ag、Cu、Pt、Pd和它們的合金組成的組中。

13.根據權利要求1所述的基底，其中，形成所述聚合物基底的聚合物選自由丙烯酸類聚合物、聚醚砜、聚環烯烴、聚氨酯和聚碳酸酯組成的組中，或者通過在另一基底上形成含有聚合物的加強涂層以形成所述聚合物基底，其中，所述丙烯酸類聚合物選自由聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(丙烯酸甲酯)、聚(丙烯酸乙酯)、聚(2-氯乙基乙烯基醚)、聚(丙烯酸-2-乙基己酯)、聚(甲基丙烯酸羥乙酯)、聚(丙烯酸丁酯)、聚(甲基丙烯酸丁酯)、聚(對苯二甲酸乙二醇酯)、聚(萘二甲酸乙二醇酯)和聚(三羥甲基丙烷三丙烯酸酯)組成的組中。

14.根據權利要求1所述的基底，其中，形成所述聚合物基底的聚合物選自由丙烯酸類聚合物、聚醚砜、聚環烯烴、聚氨酯和聚碳酸酯組成的組中，或者通過在另一基底上形成含有聚合物的加強涂層以形成所述聚合物基底，其中，所述丙烯酸類聚合物為聚甲基丙烯酸酯。

15.根據權利要求13或14所述的基底，其中，所述加強涂層含有選自丙烯酸涂層材料、聚氨酯類涂層材料、環氧類涂層材料和底漆類涂層材料的聚合物涂層材料。