[發明專利]靜電卡盤

有效

• 申請號: 201480050762.0
• 申請日: 2014-08-12
• 公開（公告）號: CN105684139B
• 公開（公告）日: 2019-03-26
• 發明（設計）人: 安德魯·M·懷特;詹姆斯·凱樂
• 申請（專利權）人: 瓦里安半導體設備公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H02N13/00;B23Q3/15
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

1.一種靜電卡盤，其特征在于，包括：

絕緣基底；

一個或更多個導電電極，配置于所述絕緣基底上；

介電頂層，具有上表面和相對的底表面，使所述電極配置于所述絕緣基底和所述介電頂層之間；以及

配置于所述上表面上的阻隔層，其中所述阻隔層阻止粒子從所述介電頂層中遷移至夾在所述靜電卡盤上的工作件，阻隔層包括氮化硅。

2.根據權利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，所述介電頂層包括引入金屬雜質以改變其熱或介電性質的氧化物或陶瓷材料，以及遷移的所述粒子包括所述金屬雜質。

3.根據權利要求2所述的靜電卡盤，其特征在于，遷移的所述粒子選自由鎂、鉛、和鋅所組成的族群。

4.根據權利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，遷移的所述粒子被用于所述電極的制造中。

5.根據權利要求4所述的靜電卡盤，其特征在于，遷移的所述粒子包括銅粒子。

6.根據權利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，更包括配置于所述阻隔層上的保護層。

7.根據權利要求6所述的靜電卡盤，其特征在于，所述保護層包括具有厚度小于1毫米的硼硅玻璃。

8.一種靜電卡盤，用于高溫離子植入，其特征在于，所述靜電卡盤包括：

包括陶瓷材料的絕緣基底；

一個或更多個導電電極，配置于所述絕緣基底上；

介電頂層，具有上表面和相對的底表面，使所述電極配置于所述絕緣基底和所述介電頂層之間，且其中所述介電頂層包括具有引入金屬雜質至其的氧化物材料；以及

阻隔層，包括氮化硅，配置于所述上表面上，其中所述阻隔層阻止金屬粒子從所述介電頂層遷移至夾在所述靜電卡盤上的工作件。

9.根據權利要求8所述的靜電卡盤，其特征在于，所述金屬粒子包括引入所述氧化物材料的所述金屬雜質。

10.根據權利要求9所述的靜電卡盤，其特征在于，所述金屬雜質被引入以改變所述氧化物材料的熱或介電性質。

11.根據權利要求8所述的靜電卡盤，其特征在于，所述金屬粒子被用于所述電極的制造中。

12.根據權利要求8所述的靜電卡盤，其特征在于，所述金屬粒子選自由鎂、鉛、銅、和鋅所組成的族群。

13.根據權利要求8所述的靜電卡盤，其特征在于，更包括配置于所述阻隔層上的保護層。

14.根據權利要求13所述的靜電卡盤，其特征在于，所述保護層包括具有厚度小于1毫米的硼硅玻璃。