[發明專利]半導體基板用蝕刻液

有效

• 申請號: 201480050156.9
• 申請日: 2014-09-16
• 公開（公告）號: CN105518834B
• 公開（公告）日: 2018-02-16
• 發明（設計）人: 山本裕三;齋田利典;大八木伸;鐮田義輝
• 申請（專利權）人: 攝津制油株式會社
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;C09K13/04;H01L31/0236
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 盧曼,劉力

1.蝕刻液，其是用于對太陽能電池用半導體基板的表面進行處理的堿性蝕刻液，其中，含有選自木質素磺酸及其鹽中的至少一種，

所述木質素磺酸或其鹽滿足以下1)~3)的所有條件，

1)分子量分布的峰值在1000~10萬之間，并且至少50質量%以上的成分存在于該分子量區域內；

2)磺基密度為每分子量500單位平均在0.6以上且小于3；

3)每分子量500單位的羧基為0~3個。

2.根據權利要求1所述的蝕刻液，其中，還含有選自通式(I)表示的磺酸化合物及其鹽中的至少一種，

式中的n為0~5的整數，R各自獨立地為氫原子或者碳原子數1~12的烷基。

3.根據權利要求2所述的蝕刻液，其中，所述磺酸化合物為選自苯磺酸、甲苯磺酸、二甲苯磺酸、以及異丙基苯磺酸中的至少一種。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的蝕刻液，其中，還含有硅酸和/或硅酸鹽。

5.蝕刻液的蝕刻力恢復劑，其是在用權利要求1至4中任一項所述的蝕刻液對太陽能電池用半導體基板進行處理后添加到所述蝕刻液中，使該蝕刻液的蝕刻力恢復的蝕刻力恢復劑，其中，含有堿劑，并含有選自通式(I)表示的磺酸化合物、所述磺酸化合物的鹽、木質素磺酸、以及所述木質素磺酸的鹽中的至少一種，

式中的n為0~5的整數，R各自獨立地為氫原子或者碳原子數1~12的烷基。

6.太陽能電池用半導體基板的制造方法，其包括用權利要求1至4中任一項所述的蝕刻液對太陽能電池用半導體基板的基板表面進行蝕刻，在所述基板表面形成凹凸的蝕刻工序。

7.根據權利要求6所述的制造方法，其中，所述基板表面形成的凹凸的凸部為棱錐形狀。

8.根據權利要求7所述的制造方法，其中，所述棱錐形狀的平均尺寸為1~20μm。

9.太陽能電池用半導體基板，其是用權利要求1至4中任一項所述的蝕刻液對其表面進行蝕刻處理而成的太陽能電池用半導體基板。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池用半導體基板，其中，在基板表面形成有凹凸。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池用半導體基板，其中，所形成的凹凸的凸部為棱錐形狀。

12.根據權利要求11所述的太陽能電池用半導體基板，其中，所述棱錐形狀的平均尺寸為1~20μm。