[發明專利]自帶散熱器的功率模塊用基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201480050150.1 | 申請日: | 2014-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN105580131B | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發明(設計)人: | 大開智哉;大井宗太郎 | 申請(專利權)人: | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/13 | 分類號: | H01L23/13;H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 樸圣潔;康泉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 散熱器 功率 模塊 用基板 及其 制造 方法 | ||
1.一種自帶散熱器的功率模塊用基板,其特征在于,具備:
功率模塊用基板,在陶瓷基板的一個面配設有電路層,在所述陶瓷基板的另一個 面配設有由純度99%以上的鋁構成的金屬層;及
散熱器,接合于所述功率模塊用基板的所述金屬層,并由屈服應力比該金屬層大 的鋁合金構成,
將所述散熱器的最大長度設為L、所述散熱器的翹曲量設為Z,相對于所述金屬 層使所述散熱器的接合面成為凹狀的變形所造成的所述翹曲量Z設為正值、使所述接 合面成為凸狀的變形所造成的所述翹曲量Z設為負值,并在25℃下測定的所述最大長 度L與所述翹曲量Z的比率Z/L在-0.005以上且0.005以下的范圍內,加熱至280℃時 及在該加熱后冷卻至25℃時,所述比率Z/L仍在-0.005以上且0.005以下的范圍內。
2.根據權利要求1所述的自帶散熱器的功率模塊用基板,其特征在于,
當使溫度從25℃變化至280℃的情況下,所述比率Z/L的最大值與最小值之差Δ Z/L為0.005以下。
3.一種自帶散熱器的功率模塊用基板的制造方法,其特征在于,其為制造權利要 求1所述的自帶散熱器的功率模塊用基板的方法,
將所述功率模塊用基板與所述散熱器進行層疊,在產生使所述散熱器的所述接合 面成為凹狀翹曲的變形的狀態下進行加熱,并在產生所述變形的狀態下進行冷卻,由 此接合所述述功率模塊用基板的所述金屬層與所述散熱器。
4.一種自帶散熱器的功率模塊用基板,其特征在于,具備:
功率模塊用基板,在陶瓷基板的一個面配設有電路層,在所述陶瓷基板的另一個 面配設有由純度99%以上的鋁構成的金屬層;及
散熱器,接合于所述功率模塊用基板的所述金屬層,并由線膨脹系數15×10-6/K以 上且22×10-6/K以下的銅或銅合金構成,
將所述散熱器的最大長度設為L、所述散熱器的翹曲量設為Z,相對于所述金屬 層使所述散熱器的接合面成為凹狀的變形所造成的所述翹曲量Z設為正值、使所述接 合面成為凸狀的變形所造成的所述翹曲量Z設為負值,
并在25℃下測定的所述最大長度L與所述翹曲量Z的比率Z/L為-0.015以上且 0.01以下,
加熱至280℃時及在該加熱后冷卻至25℃時,所述比率Z/L仍在-0.015以上且0.01 以下的范圍內。
5.根據權利要求4所述的自帶散熱器的功率模塊用基板,其特征在于,
當使溫度從25℃變化至280℃的情況下,所述比率Z/L的最大值與最小值之差Δ Z/L為0.015以下。
6.一種自帶散熱器的功率模塊用基板的制造方法,其特征在于,其為制造權利要 求4所述的自帶散熱器的功率模塊用基板的方法,
將所述功率模塊用基板與所述散熱器進行層疊,在產生使所述散熱器的所述接合 面成為凹狀翹曲的變形的狀態下進行加熱,并在產生所述變形的狀態下進行冷卻,由 此接合所述功率模塊用基板與所述散熱器。
7.一種自帶散熱器的功率模塊用基板,其特征在于,具備:
功率模塊用基板,在陶瓷基板的一個面配設有電路層,在所述陶瓷基板的另一個 面配設有由純度99%以上的鋁構成的金屬層;及
散熱器,接合于所述功率模塊用基板的所述金屬層,并由線膨脹系數7×10-6/K以 上且12×10-6/K以下的材料構成,
將所述散熱器的最大長度設為L、所述散熱器的翹曲量設為Z,相對于所述金屬 層使所述散熱器的接合面成為凹狀的變形所造成的所述翹曲量Z設為正值、使所述接 合面成為凸狀的變形所造成的所述翹曲量設為負值,
并在25℃下測定的所述最大長度L與所述翹曲量Z的比率Z/L為-0.002以上且 0.002以下,
加熱至280℃時及在該加熱后冷卻至25℃時,所述比率Z/L仍在-0.002以上且0.002 以下的范圍內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱綜合材料株式會社,未經三菱綜合材料株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201480050150.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:光電子發光組件和導體框復合件
- 下一篇:氮化硅的選擇性蝕刻





