[發(fā)明專利]鏡面研磨晶圓的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480049474.3
• 申請(qǐng)日: 2014-08-20
• 公開（公告）號(hào): CN105612605B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 橋本浩昌;宇佐美佳宏;青木一晃;大葉茂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信越半導(dǎo)體株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 謝順星;張晶

1.一種鏡面研磨晶圓的制造方法，其對(duì)于從硅晶棒切片而成的多片硅晶圓，以批次方式分別實(shí)施下述各工序來制造多片鏡面研磨晶圓，這些工序包含：切片歪斜除去工序，其用于除去因所述切片而產(chǎn)生的表面的歪斜；蝕刻工序，其除去在所述切片歪斜除去工序中所產(chǎn)生的歪斜；以及，雙面研磨工序，其將所述蝕刻后的硅晶圓的雙面進(jìn)行鏡面研磨；其特征在于，

從在所述切片歪斜除去工序中的同一批次內(nèi)已處理的所述硅晶圓當(dāng)中，選擇要在所述雙面研磨工序中以批次方式處理的所述硅晶圓，且將該選擇的硅晶圓的數(shù)量設(shè)定為與在所述切片歪斜除去工序中已處理的所述硅晶圓的數(shù)量相同或其約數(shù)，

選擇在所述切片歪斜除去工序中的1個(gè)批次或多個(gè)批次內(nèi)已處理的全部所述硅晶圓，作為在所述蝕刻工序中以批次方式處理的所述硅晶圓，由此將該選擇的硅晶圓的數(shù)量設(shè)定為與在所述切片歪斜除去工序中已處理的所述硅晶圓的數(shù)量相同或其倍數(shù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面研磨晶圓的制造方法，其特征在于，在所述切片歪斜除去工序中，一邊供給已混有游離磨粒的加工液，一邊通過水晶定尺寸方式的定尺寸裝置來測(cè)定所述硅晶圓的厚度，以研光所述硅晶圓，由此來除去所述硅晶圓的表面的歪斜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鏡面研磨晶圓的制造方法，其特征在于，在所述切片歪斜除去工序中，一邊供給水，一邊通過光反射干涉式的定尺寸裝置來測(cè)定所述硅晶圓的厚度，且使所述硅晶圓的雙面與磨削片滑動(dòng)接觸以進(jìn)行磨削，由此來除去所述硅晶圓的表面的歪斜，其中，在該磨削片上粘固有磨粒，該磨粒所具有的粒徑可將所述硅晶圓的表面粗糙度Ra磨削至0.3μm以下。