[發明專利]使用蝕刻氣體蝕刻半導體結構的方法

有效

• 申請號: 201480049399.0
• 申請日: 2014-09-09
• 公開（公告）號: CN105580116B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: R·古普塔;V·R·帕里姆;V·蘇爾拉;C·安德森;N·斯塔福德
• 申請（專利權）人: 喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 11247 北京市中咨律師事務所
• 代理人: 張雙雙;林柏楠

1.一種等離子體蝕刻位于基材上的含硅層的方法，所述方法包括：將化合物蒸氣引入包含位于基材上的含硅層的室中，所述化合物選自如下：C₂F₄S₂(CAS1717-50-6)、F₃CSH(CAS1493-15-8)、F₃C-CF₂-SH(CAS 1540-78-9)、F₃C-CH₂-SH(CAS1544-53-2)、CHF₂-CF₂-SH(812-10-2)、CF₃-CF₂-CH₂-SH(CAS 677-57-6)、F₃C-CH(SH)-CF₃(CAS1540-06-3)、F₃C-S-CF₃(CAS 371-78-8)、F₃C-S-CHF₂(CAS 371-72-2)、F₃C-CF₂-S-CF₂-CF₃(CAS155953-22-3)、F₃C-CF₂-CF₂-S-CF₂-CF₂-CF₃(CAS 356-63-8)、c(-S-CF₂-CF₂-CHF-CF₂-)(CAS1035804-79-5)、c(-S-CF₂-CHF-CHF-CF₂-)(CAS 30835-84-8)、c(-S-CF₂-CF₂-CF₂-CF₂-CF₂-)(CAS 24345-52-6)、c(-S-CFH-CF₂-CF₂-CFH-)(2R,5R)(CAS 1507363-75-8)、c(-S-CFH-CF₂-CF₂-CFH-)(2R,5S)(CAS1507363-76-9)和c(-S-CFH-CF₂-CF₂-CH₂-)(CAS1507363-77-0)；

將惰性氣體引入所述室中；

產生等離子體以由所述蒸氣生產經活化的蒸氣；和

從所述室中除去揮發性副產物，其中經活化的蒸氣與含硅層選擇性反應以形成揮發性副產物。

2.根據權利要求1的方法，其中所述化合物為C₂F₄S₂(CAS1717-50-6)。

3.根據權利要求1的方法，其中所述化合物選自F₃CSH(CAS 1493-15-8)、F₃C-CF₂-SH(CAS1540-78-9)、F₃C-CH₂-SH(CAS1544-53-2)、CHF₂-CF₂-SH(812-10-2)、CF₃-CF₂-CH₂-SH(CAS 677-57-6)和F₃C-CH(SH)-CF₃(CAS1540-06-3)。