[發(fā)明專利]使用基本上單調(diào)非增且具有正的二階導(dǎo)數(shù)的熱梯度的氣相色譜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201480049159.0 | 申請(qǐng)日： | 2014-09-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105555390B | 公開（公告）日： | 2019-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | H·D·托利;A·王;S·E·托利;M·L·李;A·R·霍金斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 布萊阿姆青年大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B01D53/02 | 分類號(hào)： | B01D53/02;G01F1/68;G01N30/30 |
| 代理公司： | 北京紀(jì)凱知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人： | 張全信;尚曉芹 |
| 地址： | 美國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 基本上 單調(diào) 具有 導(dǎo)數(shù) 梯度 色譜 | ||
1.用于進(jìn)行氣相色譜的方法，所述方法包括：
提供注射器、柱和檢測(cè)器，所述柱具有用于從所述注射器接收化合物的樣品的前端，和用于將所述樣品洗脫入所述檢測(cè)器的后端；
提供第一加熱裝置，其用于向所述柱施加初級(jí)熱以沿著所述柱的部分產(chǎn)生單調(diào)遞減且連續(xù)的熱梯度；
提供第二加熱裝置，其用于向所述柱的全長(zhǎng)施加次級(jí)熱以從而升高所述柱的所述熱梯度且疊復(fù)所述第一加熱裝置；并且
其中所述熱梯度是基本上非線性的，并且其中所述熱梯度具有基本上非負(fù)的二階導(dǎo)數(shù)。
2.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中施加所述次級(jí)熱以從而均勻地升高所述柱的所述熱梯度的所述方法進(jìn)一步包括控制所述熱梯度的輪廓。
3.如在權(quán)利要求2中限定的所述方法，其中控制所述熱梯度的所述輪廓的所述方法進(jìn)一步包括引起所述熱梯度維持期望的輪廓，同時(shí)將所述熱梯度平移至更高的溫度。
4.如在權(quán)利要求2中限定的所述方法，其中所述方法進(jìn)一步包括修改所述次級(jí)熱將所述熱梯度平移至更高的溫度的速率。
5.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中產(chǎn)生所述熱梯度的所述方法進(jìn)一步包括產(chǎn)生具有至少一個(gè)線性區(qū)段的熱梯度。
6.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中產(chǎn)生所述熱梯度的所述方法進(jìn)一步包括產(chǎn)生具有多個(gè)線性區(qū)段的熱梯度。
7.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中產(chǎn)生所述熱梯度的所述方法進(jìn)一步包括自多個(gè)分級(jí)線性區(qū)段產(chǎn)生所述熱梯度。
8.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中產(chǎn)生所述熱梯度的所述方法進(jìn)一步包括產(chǎn)生具有至少一個(gè)遞增而不改變所述熱梯度基本上單調(diào)非增的區(qū)段并且具有基本上非負(fù)的二階導(dǎo)數(shù)的熱梯度。
9.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中產(chǎn)生所述熱梯度的所述方法進(jìn)一步包括在所述柱內(nèi)保留所述熱梯度。
10.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中所述方法進(jìn)一步包括沿著所述柱的長(zhǎng)度均勻地施加所述次級(jí)熱以從而升高所述熱梯度。
11.如在權(quán)利要求10中限定的所述方法，其中沿著所述柱的長(zhǎng)度均勻地施加所述次級(jí)熱以從而升高所述熱梯度的所述方法進(jìn)一步包括保留所述熱梯度的輪廓。
12.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中所述方法進(jìn)一步包括通過修改所述初級(jí)熱、修改所述次級(jí)熱、或修改所述初級(jí)熱和所述次級(jí)熱的組合，沿著所述柱的長(zhǎng)度修改所述熱梯度。
13.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中所述方法進(jìn)一步包括：
在所述柱的末端處獲得所述化合物的峰的壓縮；和
從所述柱洗脫所述化合物并洗脫入所述檢測(cè)器。
14.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中所述方法進(jìn)一步包括：
從所述柱洗脫所述化合物并洗脫入所述檢測(cè)器；和
獲得增大的敏感度，因?yàn)楫?dāng)通過所述檢測(cè)器分析時(shí)，所述化合物的所述峰可以更高和更對(duì)稱。
15.如在權(quán)利要求1中限定的所述方法，其中所述方法進(jìn)一步包括：
提供平面基底材料作為所述柱的基底;
從所述平面基底材料的上表面移除材料以從而在所述上表面中形成所述柱；和
在所述基底材料的所述上表面上布置蓋以完成所述平面基底材料中所述柱的形成。
16.如在權(quán)利要求15中限定的所述方法，其中所述方法進(jìn)一步包括：
提供初級(jí)熱源以向所述平面基底材料施加所述初級(jí)熱以從而產(chǎn)生所述熱梯度；和
提供次級(jí)熱源以向所述平面基底材料施加所述次級(jí)熱以從而修改所述熱梯度。
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