[發明專利]多能干細胞的培養方法、該方法中所使用的多能干細胞的培養用試劑盒及培養基

有效

• 申請號: 201480048979.8
• 申請日: 2014-09-10
• 公開（公告）號: CN105637086B
• 公開（公告）日: 2019-07-12
• 發明（設計）人: 萩屋啟太;村上裕太;芳野雄一;野見山早苗;半戶里江;巖木義英;佐佐木翼
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: C12N5/07
• 分類號: C12N5/07;C12N5/074;C12N5/10;C07K14/78
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種多能干細胞的培養方法，其包含：

在支撐體的細胞培養表面賦予下述(d)的多肽，以獲得多肽包覆培養表面的階段，及在所述多肽包覆培養表面上接種多能干細胞并使用抗壞血酸衍生物的含量為1.5mmol/L以上且100mmol/L以下的培養基進行培養的階段，其中，所述(d)的多肽包含：

(1)包含選自由CSYYQSC即序列號2表示的氨基酸序列及由RGD表示的氨基酸序列中的至少一個的第1區域、及

(2)包含(2-i)由PRPSLAKKQRFRHRNRKGYRSQRGHSRGRNQN即序列號3表示的氨基酸序列的第2區域，

且由40個～250個氨基酸殘基構成。

2.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，

所述(d)的多肽的第1區域包含由CSYYQSC即序列號2表示的氨基酸序列及由RGD表示的氨基酸序列兩者。

3.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，

所述(d)的多肽的第1區域包含由序列號1所表示的氨基酸序列的第25個～第47個氨基酸殘基構成的氨基酸序列。

4.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，

所述(d)的多肽的第1區域為(1-i)由序列號1所表示的氨基酸序列中的第1個～第55個氨基酸殘基構成的氨基酸序列。

5.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，

所述(d)的多肽還包含由下述(3a-i)的氨基酸序列構成的第3區域：

(3a-i)由序列號1表示的氨基酸序列中，由第56個～第341個氨基酸殘基構成的氨基酸序列或其部分氨基酸序列。

6.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，

所述(d)的多肽還包含由下述(3b-i)的氨基酸序列構成的第3區域：

(3b-i)由序列號1表示的氨基酸序列中，由第269個～第341個氨基酸殘基構成的氨基酸序列或其部分氨基酸序列。

7.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，

所述(d)的多肽還包含由下述(4a-i)的氨基酸序列構成的第4區域：

(4a-i)由序列號1表示的氨基酸序列中，由第374個～第459個氨基酸殘基構成的氨基酸序列或其部分氨基酸序列。

8.根據權利要求1所述的多能干細胞的培養方法，其中，

所述(d)的多肽由80個～250個氨基酸殘基構成，且包含：

(1)由下述氨基酸序列構成的第1區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第25個～第47個氨基酸殘基構成；

(2)由下述氨基酸序列構成的第2區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第342個～第373個氨基酸殘基構成；以及

選自以下的第3區域及第4區域中的至少一個：

(3)由下述氨基酸序列或其部分氨基酸序列構成的第3區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第269個～第341個氨基酸殘基構成；及

(4)由下述氨基酸序列或其部分氨基酸序列構成的第4區域，所述氨基酸序列由序列號1所表示的氨基酸序列的第374個～第459個氨基酸殘基構成。