[發明專利]分層硅石納米膜的制造和其用于核酸的固相提取的用途

在審

• 申請號: 201480048600.3
• 申請日: 2014-07-28
• 公開（公告）號: CN105518120A
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發明（設計）人: 澤-輝·王;張翼
• 申請（專利權）人: 約翰霍普金斯大學
• 主分類號: C12M1/12
• 分類號: C12M1/12;C12M1/14
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 高瑜;鄭霞

1.一種硅石納米膜，所述硅石納米膜包括涂覆有二氧化硅層的熱收縮聚合物核，其中所述二氧化硅層的表面結構包括微米尺度褶皺結構和納米尺度硅石片的分層形貌，所述納米尺度硅石片具有從幾十納米至微米的大小。

2.如權利要求1所述的硅石納米膜，其中所述二氧化硅層具有在2nm至500nm之間的厚度。

3.如權利要求1所述的硅石納米膜，其中所述聚合物核具有在5μm和5mm之間的收縮厚度。

4.如權利要求1所述的硅石納米膜，其中所述聚合物核具有在5μm和500μm之間的預收縮厚度。

5.如權利要求1所述的硅石納米膜，其中所述聚合物核是平面的。

6.如權利要求1所述的硅石納米膜，其中所述聚合物核是選自由以下組成的組的熱塑性材料：聚烯烴、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚乙烯、氟化乙烯丙烯、聚四氟乙烯、以及聚偏二氟乙烯。

7.如權利要求1所述的硅石納米膜，其中所述硅石納米膜具有方形形狀或圓形形狀。

8.如權利要求1所述的硅石納米膜，其中所述二氧化硅層被衍生化。

9.如權利要求8所述的硅石納米膜，其中所述二氧化硅層被用氨丙基、氯丙基、十八烷基、辛基、季銨基、二乙基氨乙基、磺酸基、苯基、生物素、鏈霉親和素、抗體、或酶衍生化。

10.一種用于制備如權利要求1所述的硅石納米膜的方法，所述方法包括：

a)將二氧化硅的層沉積至具有原始大小的聚合物膜或聚合物核上；以及

b)在足以允許所述聚合物膜或所述聚合物核收縮至其原始大小的0.1％至75％之間的溫度和時間下，加熱a)的組合物，并且

其中所述聚合物膜或所述聚合物核的所述收縮在所述硅石納米膜上的硅石層的表面上產生微米尺度褶皺結構和納米尺度硅石片的分層形貌，所述納米尺度硅石片具有從幾十納米至微米的大小。

11.如權利要求10所述的方法，其中所述聚合物膜或所述聚合物核是平面的。

12.如權利要求10所述的方法，其中所述聚合物核具有在厚度5μm和500μm之間的預收縮厚度。

13.如權利要求10所述的方法，其中所述聚合物核是熱塑性的，所述聚合物核是熱可收縮的并且選自由以下組成的組：聚烯烴、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚乙烯、氟化乙烯丙烯、聚四氟乙烯、以及聚偏二氟乙烯。

14.如權利要求10所述的方法，其中所述二氧化硅層具有在2nm至500nm之間的厚度。

15.如權利要求10所述的方法，其中所述二氧化硅層通過化學氣相沉積法、電泳沉積法、浸漬涂覆法、物理氣相沉積法、電子束氣相沉積法、濺射法、旋轉涂覆法、或液相沉積法被沉積在所述聚合物核上，并且所述聚合物核是熱塑性的。

16.如權利要求10所述的方法，在步驟b)其中所述組合物在100℉和500℉之間的溫度被加熱。

17.如權利要求16所述的方法，其中所述溫度是250℉。

18.如權利要求10所述的方法，在步驟b)其中所述組合物被加熱持續10秒至10分鐘。

19.如權利要求18所述的方法，其中所述組合物被加熱持續3分鐘。