[發明專利]改變多核的柵極長度的系統和方法

在審

• 申請號: 201480048426.2
• 申請日: 2014-07-30
• 公開（公告）號: CN105518847A
• 公開（公告）日: 2016-04-20
• 發明（設計）人: M·蔡;S·森古普塔;C·H·甘;P·齊達姆巴蘭姆
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/088
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 袁逸

1.一種方法，包括：

形成第一晶體管的第一多晶硅柵極，所述第一多晶硅柵極具有第一長度， 其中所述第一晶體管位于第一核中；以及

形成第二晶體管的第二多晶硅柵極，所述第二多晶硅柵極具有比所述第一 長度短的第二長度，其中所述第二晶體管位于第二核中，并且其中所述第一核 位于相比于所述第二核而言更接近于半導體管芯的中央的位置。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二晶體管和所述第一 晶體管是對應的晶體管。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一核的晶體管的每個 柵極長度大于所述第二核的對應晶體管的每個柵極長度達相同的量。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

形成第三核的第三晶體管的第三多晶硅柵極，所述第三多晶硅柵極具有所 述第一長度；以及

形成第四核的第四晶體管的第四多晶硅柵極，所述第四多晶硅柵極具有所 述第二長度，其中所述第三核位于相比于所述第四核而言更接近于所述半導體 管芯的所述中央的位置。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括形成第三晶體管 的第三多晶硅柵極，所述第三多晶硅柵極具有不同于所述第一長度的第三長 度，其中所述第三晶體管位于第二半導體管芯的第三核中。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，進一步包括形成第四晶體管 的第四多晶硅柵極，所述第四多晶硅柵極具有所述第二長度，其中所述第四晶 體管位于所述第二半導體管芯的第四核中。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第三核位于相比于所 述第四核而言更接近于所述第二半導體管芯的第二中央的位置。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一長度和所述第三長 度基于所述半導體管芯在晶片上的第一位置并且基于所述第二半導體管芯在 所述晶片上的第二位置來確定。

9.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一長度和所述第三長 度是基于對應于半導體管芯在晶片上的位置的經驗數據來確定的。

10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一長度和所述第三長 度是基于包括制造工藝變化數據的經驗數據來確定的。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

形成位于第三核中的第三晶體管的第三多晶硅柵極，所述第三多晶硅柵極 具有第三長度；

形成位于第四核中的第四晶體管的第四多晶硅柵極，所述第四多晶硅柵極 具有第四長度，

其中，所述第一長度通過增加所述第二長度達第一量來確定，其中所述第 三長度通過增加所述第四長度達第二量來確定，并且其中所述第一量不同于所 述第二量，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管是對應的晶體管，并且其中 所述第三晶體管和所述第四晶體管是對應的晶體管。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在使用所述第一長度形成所述第一多晶硅柵極之前：

使用所述第二長度形成所述第一核和所述第二核；

測量與所述第一核相關聯的第一性能參數；

測量與所述第二核相關聯的第二性能參數；

基于所述第一性能參數與所述第二性能參數之間的差異來確定所述第一 長度。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一性能參數是所述 第一核的泄漏電流的第一量，并且其中所述第二性能參數是所述第二核的泄漏 電流的第二量。

14.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一性能參數是所述 第一核的第一時鐘速度，并且其中所述第二性能參數是所述第二核的第二時鐘 速度。

15.如權利要求12所述的方法，其特征在于，當所述第一核使用所述第 一長度來形成且所述第二核使用所述第二長度來形成時，所述差異大于所述第 一性能參數與所述第二性能參數之間的第二差異。