[發明專利]EPI預熱環

有效

• 申請號: 201480048410.1
• 申請日: 2014-08-19
• 公開（公告）號: CN105518839B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 卡爾蒂克·薩哈;劉樹坤
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于半導體處理室中的環組件，包括：

環形主體，所述環形主體是環形物的至少一部分，所述環形物具有中央開口、內周邊邊緣及外周邊邊緣，所述環形主體包括：

第一部分，所述第一部分具有上表面及平行于所述上表面的底表面；及

第二部分，所述第二部分具有上表面及平行于所述第二部分的所述上表面的底表面，其中所述第二部分沿經過所述主體且通過所述中央開口的線與所述第一部分連接并形成一角度，所述角度在1度與15度之間。

2.如權利要求1所述的環組件，其中所述第二部分與所述第一部分對稱。

3.如權利要求1所述的環組件，其中所述第二部分相對于所述第一部分的上表面向下傾斜。

4.如權利要求1所述的環組件，其中所述角度為2度至6度。

5.一種用于處理基板的處理室，包括：

室主體，所述室主體界定內部處理區域；

基板支撐件，所述基板支撐件設置于所述室主體內，所述基板支撐件具有基板支撐表面；及

環形主體，所述環形主體是環形物的至少一部分，所述環形物具有中央開口，所述環形主體安置于設置于所述室主體內的環支撐件上，所述環形主體包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分具有上表面及平行于所述上表面的底表面，所述第二部分具有上表面及平行于所述第二部分的所述上表面的底表面，所述第一部分沿經過所述主體且通過所述中央開口的線與所述第二部分連接并形成一角度，所述角度在1度與15度之間。

6.如權利要求5所述的處理室，其中所述環形主體被調整大小而以一間隙圍繞所述基板支撐件的周邊設置。

7.如權利要求6所述的處理室，其中所述第二部分相對于所述基板支撐表面以所述角度向下傾斜。

8.如權利要求7所述的處理室，其中所述角度在2度與6度之間。

9.如權利要求7所述的處理室，其中所述第二部分與所述第一部分實質對稱。

10.如權利要求7所述的處理室，其中所述第一部分安置成鄰近所述室主體的氣體注射側。

11.如權利要求6所述的處理室，其中所述間隙在0.1mm與0.8mm之間。

12.如權利要求7所述的處理室，其中所述第二部分安置成鄰近所述室主體的氣體排放側。

13.一種用于處理基板的處理室，包括：

能旋轉的基板支撐件，所述基板支撐件設置于所述處理室內，所述基板支撐件具有基板支撐表面；

下拱形結構，所述下拱形結構設置于所述基板支撐件的相對下方；

上拱形結構，所述上拱形結構設置于所述基板支撐件的相對上方，所述上拱形結構與所述下拱形結構相對；

環主體，所述環主體圍繞所述基板支撐件的周邊設置于所述上拱形結構與所述下拱形結構之間，其中所述上拱形結構、所述環主體、及所述下拱形結構界定所述處理室的內部容積，所述環主體具有一個或更多個氣體注射，所述氣體注射以至少一個線性群組排列且能操作以提供覆蓋所述基板的直徑的氣體流動；及

環形主體，所述環形主體是環形物的至少一部分，所述環形物具有中央開口，所述環形主體安置于設置于所述環主體內的環支撐件上，所述環形主體包括第一部分和第二部分，所述第一部分被設置成鄰近所述處理室的氣體注射，所述第二部分被設置成鄰近所述處理室的氣體排放，其中所述第一部分具有上表面及平行于所述上表面的底表面，所述第二部分具有上表面及平行于所述第二部分的所述上表面的底表面，所述第一部分沿經過所述環形主體且通過所述中央開口的線與所述第二部分連接并形成一角度，所述角度在1度與15度之間。

14.如權利要求13所述的處理室，其中所述第二部分相對于所述基板支撐表面以所述角度向下傾斜。

15.如權利要求14所述的處理室，其中所述角度在2度與6度之間。