[發明專利]半導體裝置、固態成像元件和電子設備

在審

• 申請號: 201480048183.2
• 申請日: 2014-10-24
• 公開（公告）號: CN105531822A
• 公開（公告）日: 2016-04-27
• 發明（設計）人: 小林正治;巖淵信;柴山利一;鈴木守;丸山俊介
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L27/14;H04N5/357;H04N5/374
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 梁興龍;曹正建

1.一種半導體裝置，包括：

在其中形成多個元件的元件形成單元；和

疊置在所述元件形成單元上并且形成有連接所述元件的配線的配線 單元，

其中以下各部件配置在所述元件形成單元中

被構造成受光影響的無源元件，

形成配置在所述無源元件周圍的周邊電路的有源元件，和

形成在所述無源元件和所述有源元件之間的構造物，使得在所述元 件形成單元的厚度方向上的間隙不超過規定間隔，并且由抑制光傳播的 材料形成。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述無源元件是被構造成接收光并進行光電轉換的光接收元件。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中

所述光接收元件接收的光入射到與所述配線單元疊置在所述元件形 成單元上的前面相對的背面上，和

被構造成支撐所述元件形成單元和所述配線單元在其內疊置的基板 的支撐基板接合到所述基板的前面側。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物從所述配線單元疊置在所述元件形成單元上的前面形 成，并且形成為使得所述構造物的前端和與所述前面相對的背面之間的 間隙不超過規定間隔。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物從與所述配線單元疊置在所述元件形成單元上的前面相 對的背面形成，并且形成為使得所述構造物的前端和所述前面之間的間 隙不超過規定間隔。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物形成為使得從所述配線單元疊置在所述元件形成單元上 的前面形成的第一構造物的前端和從與所述前面相對的背面形成的第二 構造物的前端之間的間隙不超過規定間隔。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物在從所述有源元件到所述無源元件的空間中在多個地方 形成。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物配置成使得從所述有源元件形成在所述元件形成單元中 的那側表面形成的第一構造物和從與所述前面相對的背面形成的第二構 造物在從所述有源元件觀察所述無源元件時重合。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物形成為在所述元件形成單元的厚度方向上沒有間隙地貫 通所述元件形成單元。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物由折射或吸收光的材料形成。

11.根據權利要求10所述的半導體裝置，其中

所述構造物形成為使得朝向所述元件形成單元的厚度方向的側壁相 對于厚度方向是傾斜的。

12.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物由反射光的金屬形成。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，還包括

包圍所述構造物的周圍的絕緣體。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置，還包括

提取所述構造物的電位的電極。

15.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述無源元件是對于光噪聲具有高感度的模擬元件。

16.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物配置成通過形成所述無源元件的區域和形成所述有源元 件的區域之間，并且在平面圖中包圍形成所述無源元件的區域。

17.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述構造物配置成通過形成所述無源元件的區域和形成所述有源元 件的區域之間，并且在平面圖中包圍形成所述有源元件的區域。